公开(公告)号：CN108265320A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201810180713.9

申请日：2018-03-05

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 高云鹏 ,  钟福新 ,  苏泉 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: C25D9/08 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C25D9/08 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种CdSe纳米薄膜的制备方法。以DMF作为溶剂配制20.0mL浓度为0.071~0.150mol/L的Cd(NO3)2溶液、30.0mL浓度为0.067~0.119mol/L的H2SeO3溶液和5.0mL浓度为0.000~0.120mol/L的PVP溶液，上述三种溶液混合均匀配制成电解液；在匀速磁力搅拌下，铂片作阳极，ITO作阴极，在1V~5V沉积电压下沉积5~25分钟，在ITO上电沉积合成CdSe纳米薄膜，所得CdSe纳米薄膜光电压值为0.1258V~0.3680V。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期非常短，制备的样品光电性能优良。