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公开(公告)号：CN111729659A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010715463.1
申请日：2020-07-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J20/26 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F101/22
Abstract: 本发明公开了一种基于MCM-41分子筛表面的Cr(Ⅵ)离子印迹材料的制备方法。该离子印迹材料是以介孔MCM-41为载体，Cr(Ⅵ)离子为模板，N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷为功能单体、环氧氯丙烷为交联剂，盐酸为洗脱剂，通过表面离子印迹技术制备了基于MCM-41分子筛表面的Cr(Ⅵ)离子印迹材料。本发明的基于MCM-41分子筛表面的Cr(Ⅵ)离子印迹材具有步骤简单操作方便，生产效率高等优点，并且对水中Cr(Ⅵ)离子具有良好的吸附性和选择性。
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公开(公告)号：CN110201649A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910494289.X
申请日：2019-06-09
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J20/26 , B01J20/28 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F101/10
Abstract: 本发明公开了一种硅藻土表面As（Ⅲ）离子印迹吸附材料的制备方法。该方法通过采用预吸附-后交联聚合的表面印迹法，将壳聚糖对As（Ⅲ）离子进行预吸附，再依次加入硅藻土、γ-（2,3-环氧丙氧基）丙基三甲氧基硅烷和环氧氯丙烷进行交联聚合反应12-18h，经干燥-洗脱-干燥，制得硅藻土表面As（Ⅲ）离子印迹吸附材料，能够用于水溶液中As（Ⅲ）离子的选择性去除。本发明制备的硅藻土表面As（Ⅲ）离子印迹吸附材料成本低、环保、对模板离子具有高选择性、高识别性。
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公开(公告)号：CN111760561A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010712933.9
申请日：2020-07-23
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MCM-41分子筛表面的As(Ⅲ)离子印迹材料的制备方法。该方法以N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷为功能单体，环氧氯丙烷为交联剂，MCM-41分子筛为载体，采用表面印迹法制备基于MCM-41分子筛表面的As(Ⅲ)离子印迹材料。本发明的基于MCM-41分子筛表面的As(Ⅲ)离子印迹材料具有特定的三维空穴结构，机械性能好，易洗脱，可用于水溶液中As(Ⅲ)离子的特异性识别和选择性去除，且具有低成本、环保等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110201650A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910494292.1
申请日：2019-06-09
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种硅藻土基Cr（Ⅵ）离子印迹吸附材料的制备方法。该方法以3-氨基丙基三乙氧基硅烷为偶联剂，4-吡啶甲酸为功能单体，正硅酸乙酯为交联剂，硅藻土为支持体，采用表面印迹法制备硅藻土基Cr（Ⅵ）离子印迹吸附材料。本发明的硅藻土基Cr（Ⅵ）离子印迹吸附材料具有特定的三维空穴结构，机械性能好，易洗脱，可用于水溶液中Cr（Ⅵ）离子的特异性识别和选择性去除，且具有低成本、环保等优点。
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公开(公告)号：CN111729658A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010714739.4
申请日：2020-07-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J20/26 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F101/22
Abstract: 本发明公开了一种基于MCM-41分子筛表面的Cr(Ⅲ)离子印迹材料的制备方法。该方法以N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷为功能单体，环氧氯丙烷为交联剂，介孔MCM-41为载体，采用表面印迹法制备基于MCM-41分子筛表面的Cr(Ⅲ)离子印迹材料。本发明的介孔MCM-41Cr(Ⅲ)离子印迹吸附材料具有特定的三维空穴结构，机械性能好，易洗脱，可用于水溶液中Cr(Ⅲ)离子的特异性识别和选择性去除，且具有低成本、环保等优点。
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公开(公告)号：CN111659345A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010714736.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J20/18 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F101/22
Abstract: 本发明公开了一种可吸附Cr(Ⅵ)离子的MCM-41复合材料的制备方法。所述方法包括如下步骤(1)MCM-41的制备。(2)在三口瓶中加入80mL甲醇、2-9mL硅烷偶联剂KH-792(N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷)充分溶解(3)向步骤(2)的反应物中加入1g已制备的MCM-41,放入恒温水浴锅中30-70℃反应6-24h,冷却后，抽滤，用甲醇洗涤2-3次，用超纯水洗涤至中性，80℃真空干燥8h,过150目筛得到MCM-41复合材料，改性后对水中5mg/LCr(Ⅵ)离子的吸附能力大大提高。
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公开(公告)号：CN110201651A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910494293.6
申请日：2019-06-09
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J20/26 , B01J20/28 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F101/22
Abstract: 本发明公开了一种硅藻土基Cr（Ⅲ）离子印迹吸附材料的制备方法。该方法以3-氨基丙基三乙氧基硅烷为偶联剂，4-吡啶甲酸为功能单体，正硅酸乙酯为交联剂，硅藻土为支持体，采用表面印迹法制备硅藻土基Cr（Ⅲ）离子印迹吸附材料。本发明的硅藻土基Cr（Ⅲ）离子印迹吸附材料具有特定的三维空穴结构，机械性能好，易洗脱，可用于水溶液中Cr（Ⅲ）离子的特异性识别和选择性去除，且具有低成本、环保等优点。
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公开(公告)号：CN110201648A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910494288.5
申请日：2019-06-09
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J20/26 , B01J20/28 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F101/10
Abstract: 本发明公开了一种硅藻土表面As（Ⅴ）离子印迹吸附材料的制备方法。该方法通过采用预吸附-后交联聚合的表面印迹法，将壳聚糖对As（Ⅴ）离子进行预吸附，再依次加入硅藻土、γ-（2,3-环氧丙氧基）丙基三甲氧基硅烷和环氧氯丙烷进行交联聚合反应12~18h，经干燥-洗脱-干燥，制得硅藻土表面As（Ⅴ）离子印迹吸附材料，并用于水溶液中As（Ⅴ）离子的选择性去除。本发明制备的硅藻土表面As（Ⅴ）离子印迹吸附材料成本低、环保、对模板离子具有高选择性、高识别性。
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