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公开(公告)号：CN117125738B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311130833.5
申请日：2023-09-04
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明公开了一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法。（1）在称料之前，将镧系氧化物La2O3、Sm2O3、Nd2O3、Gd2O3在1000℃烧结12小时，将CaCO3置于180℃烘箱中干燥12小时，去除原料中的水和CO2。按设计的化学计量比进行称量。将称量好的原料放入研钵中，加入酒精充分研磨1小时以上，混合均匀后在红外灯下干燥得到样品粉末。由于MoO3容易挥发，需要在称量时过量10%来弥补烧结过程中造成的原料损失。（2）将粉末样品称量0.5g放入压片磨具内，在4Mpa压力压制30秒成片，放入坩埚中，在500℃下预烧12小时，再将样品研磨、压片，最后在950℃烧结保温12小时，获得目标产物。本发明制备的高熵氧离子导体材料制备过程简单，稳定性良好，导电性能良好。
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公开(公告)号：CN105597770A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610088767.3
申请日：2016-02-17
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: B01J23/83 , B01J35/004 , C02F1/30 , C02F2101/308 , C02F2305/10
Abstract: 本发明公开了一种宽频高效的可见光响应光催化剂Cu3Y2Ge3O12及其制备方法。该光催化剂的化学组成式为Cu3Y2Ge3O12。本发明还公开了上述材料的制备方法。本发明得到的光催化剂具有光谱响应范围宽，光转换效率高和稳定性好等优点。在可见光照射下具有分解有害化学物质、有机生物质和杀菌的作用；另外制备方法简单、合成温度低，成本低，适合工业生产与应用。
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公开(公告)号：CN104311019B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410534052.7
申请日：2014-10-12
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结的超低介电常数微波介电陶瓷Li2TiWO5F2及其制备方法。（1）将纯度为99.9%（重量百分比）以上的LiF、TiO2和WO3的原始粉末按Li2TiWO5F2的组成称量配料；（2）将步骤（1）原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时；（3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在870~900℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在870~900℃烧结良好，介电常数达到6.9～7.7，其品质因数Qf值高达62400-72900GHz，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN117125738A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311130833.5
申请日：2023-09-04
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明公开了一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法。（1）在称料之前，将镧系氧化物La2O3、Sm2O3、Nd2O3、Gd2O3在1000℃烧结12小时，将CaCO3置于180℃烘箱中干燥12小时，去除原料中的水和CO2。按设计的化学计量比进行称量。将称量好的原料放入研钵中，加入酒精充分研磨1小时以上，混合均匀后在红外灯下干燥得到样品粉末。由于MoO3容易挥发，需要在称量时过量10%来弥补烧结过程中造成的原料损失。（2）将粉末样品称量0.5g放入压片磨具内，在4Mpa压力压制30秒成片，放入坩埚中，在500℃下预烧12小时，再将样品研磨、压片，最后在950℃烧结保温12小时，获得目标产物。本发明制备的高熵氧离子导体材料制备过程简单，稳定性良好，导电性能良好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116217228A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310164387.3
申请日：2023-02-25
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿Sr6‑2xNb2+2xO11+3x材料的制备方法。（1）将纯度均为99.9%（重量百分比）以上的SrCO3、Nb2O5粉末按Sr6‑2xNb2+2xO11+3x（0.103≤x≤0.333）的计量比组成称量配料；（2）将步骤1原料放入玛瑙研钵中加无水乙醇研磨，制得混合粉末；在60℃的干燥箱中干燥12小时；（3）预烧结，将步骤2制得的粉末在1000℃下预烧6小时后，对其进行二次研磨；（4）造粒及压片，将步骤3处理后的粉体加入3到4滴的聚乙烯醇水溶液，造粒，过80～120目筛，用粉末压片机压制成圆柱状坯件；（5）烧结，将压完片后的样品升温至1350℃，煅烧10小时，保温结束后让其自然冷却。本发明制备的陶瓷制备工艺简单，有良好的电导率、化学稳定性好，在燃料电池领域有着极大的应用前景。
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公开(公告)号：CN114105480B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111463502.4
申请日：2021-12-02
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种新型热障涂层材料SrZr0.52Si0.48Ga2O6玻璃陶瓷及其制备方法。(1)将纯度均为99％(质量百分比)以上的SrCO3、ZrO2、SiO2以及Ga2O3原料按照设计SrZr0.52Si0.48Ga2O6的计量比组成称量配料，使用研钵反复研磨得到混合物；(2)将混合物压片，放入激光加热气体悬浮装置中，使用激光将制得的片加热至1700～1900℃下使其熔融，持续加热10s左右使样品均匀化，之后关闭加热装置，得到玻璃小球。(3)用研钵将步骤(2)制得玻璃小球砸碎并研磨，通过TG‑DTA测试其结晶温度为900℃，将粉末放在900℃下退火12小时得到目标材料。本发明制备的玻璃陶瓷材料成本低廉，化学稳定性好，机械性能优异，名义组成为SrZr0.52Si0.48Ga2O6的材料，在900℃进行退火结晶的物相为Sr2Ga2SiO7和未结晶的SrO、SiO2玻璃态物质，具有较低的热导率。
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公开(公告)号：CN105523754A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610088671.7
申请日：2016-02-17
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高品质因数温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Cu3ZnTiGe3O12及其制备方法。（1）将纯度为99.9%（重量百分比）以上的CuO、ZnO、TiO2和GeO2的原始粉末按Cu3ZnTiGe3O12的组成称量配料；（2）将步骤（1）原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时；（3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在850~900℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在900℃以下烧结良好，介电常数达到16.2～17.1，其品质因数Qf值高达89000-144000GHz，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN117049871B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311127361.8
申请日：2023-09-04
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/453
Abstract: 本发明公开了一种氧化铋基中低熵氧离子导体材料及其制备方法。具体材料为(Bi2O3)0.95‑x(Ho0.4Er0.4Tm0.4Yb0.4Lu0.4O3)x(WO3)0.05,x=0.1、0.2、0.3、0.4，制备方法是按照化学式的计量比组成称量配料，使用研钵反复研磨得到混合物；将混合物压片，放入高温烧结马弗炉中，在650°C下烧8小时。再研磨后，在850~1080°C下烧制10小时，得到致密的陶瓷片。本发明制备的氧离子导体材料成本低廉、制备工艺简单，热稳定性和化学稳定性好，电导率高，其中(Bi2O3)0.75(Ho0.4Er0.4Tm0.4Yb0.4Lu0.4O3)0.2(WO3)0.05在550℃时，陶瓷总电导率达1.1×10‑2 S/cm，700℃时所有比例陶瓷电导率均大于>10‑2 S/cm，能作为电解质材料应用于中低温氧化物燃料电池，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117049874A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311130450.8
申请日：2023-09-04
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/495
Abstract: 本发明公开了一类钒酸铋基中低熵氧离子导体材料及其制备方法。（1）将原料Bi2O3与CuO放置在干燥箱中180℃干燥12小时，按设计的化学计量比进行称量。将称量好的纯度为99%（质量百分比）以上的Bi2O3、V2O5、CuO、NiO、Nb2O5、TiO2、Ga2O3、MoO3、SiO2、Ta2O5、ZrO2原料放在研钵中，用酒精作为分散剂混合，充分研磨1小时以上，混合均匀后在红外灯下干燥得到样品粉末；（2）将粉末样品称量0.5g放入压片磨具内，在4Mpa压力压制30秒成片，压出直径为10mm，厚度大约为1‑2mm的圆片。放入坩埚中，在600℃下预烧12小时，再将样品继续研磨、压片，最后在890℃烧结保温12小时，获得目标产物。本发明制备的钒酸铋基中低熵氧离子导体材料成本低廉，电学性能优异，电导率最高可达到10‑2 S/cm。
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