公开(公告)号：CN117049874A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311130450.8

申请日：2023-09-04

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 徐军古 ,  宋兴平

IPC: C04B35/495

Abstract: 本发明公开了一类钒酸铋基中低熵氧离子导体材料及其制备方法。（1）将原料Bi2O3与CuO放置在干燥箱中180℃干燥12小时，按设计的化学计量比进行称量。将称量好的纯度为99%（质量百分比）以上的Bi2O3、V2O5、CuO、NiO、Nb2O5、TiO2、Ga2O3、MoO3、SiO2、Ta2O5、ZrO2原料放在研钵中，用酒精作为分散剂混合，充分研磨1小时以上，混合均匀后在红外灯下干燥得到样品粉末；（2）将粉末样品称量0.5g放入压片磨具内，在4Mpa压力压制30秒成片，压出直径为10mm，厚度大约为1‑2mm的圆片。放入坩埚中，在600℃下预烧12小时，再将样品继续研磨、压片，最后在890℃烧结保温12小时，获得目标产物。本发明制备的钒酸铋基中低熵氧离子导体材料成本低廉，电学性能优异，电导率最高可达到10‑2 S/cm。

公开(公告)号：CN117125738A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311130833.5

申请日：2023-09-04

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 徐军古 ,  宋兴平

IPC: C01G41/00

Abstract: 本发明公开了一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法。（1）在称料之前，将镧系氧化物La2O3、Sm2O3、Nd2O3、Gd2O3在1000℃烧结12小时，将CaCO3置于180℃烘箱中干燥12小时，去除原料中的水和CO2。按设计的化学计量比进行称量。将称量好的原料放入研钵中，加入酒精充分研磨1小时以上，混合均匀后在红外灯下干燥得到样品粉末。由于MoO3容易挥发，需要在称量时过量10%来弥补烧结过程中造成的原料损失。（2）将粉末样品称量0.5g放入压片磨具内，在4Mpa压力压制30秒成片，放入坩埚中，在500℃下预烧12小时，再将样品研磨、压片，最后在950℃烧结保温12小时，获得目标产物。本发明制备的高熵氧离子导体材料制备过程简单，稳定性良好，导电性能良好。

公开(公告)号：CN117125738B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202311130833.5

申请日：2023-09-04

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 徐军古 ,  宋兴平

IPC: C01G41/00

Abstract: 本发明公开了一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法。（1）在称料之前，将镧系氧化物La2O3、Sm2O3、Nd2O3、Gd2O3在1000℃烧结12小时，将CaCO3置于180℃烘箱中干燥12小时，去除原料中的水和CO2。按设计的化学计量比进行称量。将称量好的原料放入研钵中，加入酒精充分研磨1小时以上，混合均匀后在红外灯下干燥得到样品粉末。由于MoO3容易挥发，需要在称量时过量10%来弥补烧结过程中造成的原料损失。（2）将粉末样品称量0.5g放入压片磨具内，在4Mpa压力压制30秒成片，放入坩埚中，在500℃下预烧12小时，再将样品研磨、压片，最后在950℃烧结保温12小时，获得目标产物。本发明制备的高熵氧离子导体材料制备过程简单，稳定性良好，导电性能良好。