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发明公开
一种镁合金表面低孔隙率微弧氧化膜的制备方法无效

公开(公告)号：CN111172577A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010077454.4

申请日：2020-01-29

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 尚伟 , 李雨晴 , 吴方 , 蒋世权 , 温玉清 , 何珊珊

IPC: C25D11/30 , C23G1/22

Abstract: 本发明公开了一种镁合金表面低孔隙率微弧氧化膜的制备方法。首先，将AZ91镁合金打磨、水洗，碱洗，水洗，超声波清洗。然后，配制微弧氧化电解液，将AZ91镁合金放入微弧氧化电解液中作为阳极进行微弧氧化处理，阴极为不锈钢，采用脉冲微弧氧化方式。最后，取出AZ91镁合金于50 ℃下干燥，即制得镁合金表面低孔隙率微弧氧化膜。本发明方法操作简单，所制得的镁合金表面低孔隙率微弧氧化膜呈多孔结构，孔隙率较小，表面平整，无微裂纹，孔径分布均匀，能够提高镁合金的耐蚀性。

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