公开(公告)号：CN105684155A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480048128.3

申请日：2014-08-20

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： S·纳扎斯 ,  V·帕卢楚瑞 ,  A·雷茨尼采克 ,  D·J·谢皮斯

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 与finFET源极/漏极的低电阻接触可以通过形成无缺陷表面来实现，其中在该无缺陷表面上来形成这种接触。finFET的鳍片可以曝露于外延生长条件，以在源极/漏极中增加半导体材料的体积。对向生长前端可以合并或者可以形成未合并的刻面。介电材料可以填充源极漏极区域内的空隙。与finFET栅极间隔开的沟槽可以曝露在所述沟槽内的鳍片上的刻面外延生长的顶部，这样的顶部被光滑的介电表面分隔。在沟槽内曝露的顶部上选择性地形成的硅层可以被转换为半导体-金属层，从而使这样的接触与源极漏极区中单独的鳍片连接。

公开(公告)号：CN105684155B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201480048128.3

申请日：2014-08-20

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： S·纳扎斯 ,  V·帕卢楚瑞 ,  A·雷茨尼采克 ,  D·J·谢皮斯

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 与finFET源极/漏极的低电阻接触可以通过形成无缺陷表面来实现，其中在该无缺陷表面上来形成这种接触。finFET的鳍片可以曝露于外延生长条件，以在源极/漏极中增加半导体材料的体积。对向生长前端可以合并或者可以形成未合并的刻面。介电材料可以填充源极漏极区域内的空隙。与finFET栅极间隔开的沟槽可以曝露在所述沟槽内的鳍片上的刻面外延生长的顶部，这样的顶部被光滑的介电表面分隔。在沟槽内曝露的顶部上选择性地形成的硅层可以被转换为半导体‑金属层，从而使这样的接触与源极漏极区中单独的鳍片连接。