公开(公告)号：CN105144366B

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201480023489.2

申请日：2014-10-14

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： 程慷果 ,  B·B.·多丽丝 ,  S·J·福尔摩斯 ,  A·克哈基弗尔鲁茨

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/12

Abstract: 一种形成CMOS场效应晶体管的改进的结构和方法。在实施例中，在半导体结构的PFET侧形成锗硅(SiGe)，而硅置于半导体结构的NFET侧。在PFET和NFET之间形成窄的隔离区。NFET鳍由硅构成而PFET鳍由锗硅构成。

公开(公告)号：CN105745738A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201480045911.4

申请日：2014-08-15

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： V·巴斯克 ,  程慷果 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  V·Y·萨德塞 ,  R·斯瑞尼瓦萨恩

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，该方法包括在相应的一个或多个晶体管在衬底中一个或多个沟道区之上沉积金属层，金属层具有第一区和第二区；降低金属层的第一区的高度；在已降低高度的第一区之上形成绝缘层，绝缘层形成为具有与金属层的第二区共面的顶面；并且形成到一个或多个晶体管的源极/漏极区的至少一个触点。因此也提供了形成的半导体器件的结构。

公开(公告)号：CN105745738B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201480045911.4

申请日：2014-08-15

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： V·巴斯克 ,  程慷果 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  V·Y·萨德塞 ,  R·斯瑞尼瓦萨恩

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，该方法包括在相应的一个或多个晶体管在衬底中一个或多个沟道区之上沉积金属层，金属层具有第一区和第二区；降低金属层的第一区的高度；在已降低高度的第一区之上形成绝缘层，绝缘层形成为具有与金属层的第二区共面的顶面；并且形成到一个或多个晶体管的源极/漏极区的至少一个触点。因此也提供了形成的半导体器件的结构。