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发明授权
通过选择性沉积形成的超薄金属线失效转让

公开(公告)号：CN105531812B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201480050162.4

申请日：2014-09-11

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： 李俊涛 , 杨智超 , 殷允朋

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76885 , H01L21/28562 , H01L21/288 , H01L21/7682 , H01L21/76834 , H01L21/76844 , H01L21/76846 , H01L21/76852 , H01L21/76879

Abstract: 本发明的实施例总体上涉及集成电路的制备，并且更具体地，涉及用于使用选择性沉积工艺在开口中制备一对超薄金属线的结构和方法。

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