公开(公告)号：CN105960707A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201480060788.3

申请日：2014-10-14

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： 党兵 ,  S·H·尼克尔伯克尔 ,  小道格拉斯·C·拉图利佩 ,  S·斯科尔达斯 ,  C·K·曾 ,  K·R·温斯特尔

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

Abstract: 一种移除装卸器晶片的方法。提供装卸器晶片和具有多个半导体装置的半导体装置晶片，该半导体装置晶片具有有源表面侧和无源表面侧。对装卸器晶片的表面施加非晶碳层。对装卸器晶片的非晶碳层和半导体装置晶片的有源表面侧中的至少一个施加粘合层。装卸器晶片通过一个或者多个粘合层接合至半导体装置晶片。对装卸器晶片施加激光辐射以引起非晶碳层的加热，该非晶碳层的加热进而引起一个或者多个粘合层的加热。随后使半导体装置晶片的多个半导体装置从装卸器晶片分离。

公开(公告)号：CN105960707B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201480060788.3

申请日：2014-10-14

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： 党兵 ,  S·H·尼克尔伯克尔 ,  小道格拉斯·C·拉图利佩 ,  S·斯科尔达斯 ,  C·K·曾 ,  K·R·温斯特尔

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

Abstract: 一种移除装卸器晶片的方法。提供装卸器晶片和具有多个半导体装置的半导体装置晶片，该半导体装置晶片具有有源表面侧和无源表面侧。对装卸器晶片的表面施加非晶碳层。对装卸器晶片的非晶碳层和半导体装置晶片的有源表面侧中的至少一个施加粘合层。装卸器晶片通过一个或者多个粘合层接合至半导体装置晶片。对装卸器晶片施加激光辐射以引起非晶碳层的加热，该非晶碳层的加热进而引起一个或者多个粘合层的加热。随后使半导体装置晶片的多个半导体装置从装卸器晶片分离。