公开(公告)号：CN103714194A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310445431.4

申请日：2013-09-26

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 袁磊 ,  桂宗郁 ,  M·拉希德 ,  Q·王

IPC: G06F17/50 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明揭露一种兼容无色M1绕线的双重图案化，其中，所揭露的是利用无色DPT M1绕线摆置进行电路设计时能维持高绕线效率并且保障目标图案的M1可分解性以及最终电路的方法。具体实施例包括：决定邻接IC中第一与第二单元的边界；决定第一单元中第一边脚面向第二单元中第二边脚的侧的一侧；决定第一边脚的该侧的至少一部分的第一垂直区段和第二边脚的该侧的至少一部分的第二垂直区段；指定介于第一垂直区段与边界间的区域作为绕线区的第一部分；以及指定介于第二垂直区段与边界间的区域作为绕线区的第二部分。

公开(公告)号：CN103714194B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310445431.4

申请日：2013-09-26

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 袁磊 ,  桂宗郁 ,  M·拉希德 ,  Q·王

IPC: G06F17/50 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明揭露一种兼容无色M1绕线的双重图案化，其中，所揭露的是利用无色DPT M1绕线摆置进行电路设计时能维持高绕线效率并且保障目标图案的M1可分解性以及最终电路的方法。具体实施例包括：决定邻接IC中第一与第二单元的边界；决定第一单元中第一边脚面向第二单元中第二边脚的侧的一侧；决定第一边脚的该侧的至少一部分的第一垂直区段和第二边脚的该侧的至少一部分的第二垂直区段；指定介于第一垂直区段与边界间的区域作为绕线区的第一部分；以及指定介于第二垂直区段与边界间的区域作为绕线区的第二部分。