公开(公告)号：CN119800334A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510035802.4

申请日：2025-01-09

Applicant: 核工业西南物理研究院

Inventor： 柴宗俭 ,  郑国尧 ,  金羽中 ,  雷光玖 ,  王昊 ,  王建豹 ,  封范 ,  王子杰 ,  练友运 ,  涂成名 ,  赵栋

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明公开了一种低气压射流等离子体增强化学气相沉淀设备及其生产方法，涉及化学气相沉积领域，包括：依次连接的等离子体发生器、裂解腔体、生长腔体和回收装置，所述等离子体发生器、裂解腔体、生长腔体和回收装置内部形成依次连通的通道；所述生长腔体用于向内部输送金属颗粒；所述生长腔体的出口通过输送管道和回收装置连接；所述金属颗粒能在重力作用下通过所述生长腔体内腔和所述输送管道内部之间的通道，进入所述回收装置内。采用本方案，金属颗粒粉末能直接穿过等离子体完成金属颗粒表面的固态膜原位生产反应，使得原位反应时间达到毫秒量级，相比于传统的PECVD设备大大缩短了反应时间从而提高了生产/实验效率。