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公开(公告)号：CN105405749B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201510730587.6
申请日：2015-11-02
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明涉及碳化硅器件制造技术领域，尤其涉及用碳化硅沟槽型器件的制备过程。本发明提供了一种刻蚀碳化硅的方法，所述方法包括如下步骤：步骤B：在与碳化硅需要刻蚀的区域同一面上的不需要刻蚀的区域的表面生长掩膜层；步骤C：对所述需要刻蚀的区域进行刻蚀，得到碳化硅栅槽；步骤D：使用气体对所述栅槽退火，其中，所述气体包括含氯的气体和氧化性气体，以及任选地载体气体，其中所述载体气体包括氦气、氖气、氩气、氪气和氙气中的一种；步骤E：去除所述掩膜层。
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公开(公告)号：CN104538321B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201410756710.7
申请日：2014-12-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。
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公开(公告)号：CN103824878B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201410044259.6
申请日：2014-01-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法。该碳化硅功率器件结终端结构包括多个场限环，其通过掺杂间隔设置于外延层上；掺杂区，其设置于所述外延层的上方；其中，所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。本发明的结终端结构使得功率器件具有较好的耐压能力和较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN102593111B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210042472.4
申请日：2012-02-23
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种IGBT模块及其制作方法，该模块包括：基板组件；固定在基板组件上的侧框，侧框上设置有多个筋条，该筋条的中间部位开有母排安放槽，两端部位设置有定位孔；弹簧引线，其引线端安插在所述定位孔上；固定在所述侧框的筋条上的母排定位器，该母排定位器上开设有母排定位槽，母排定位槽与母排安放槽一一对应；穿过母排定位槽安插并固定在母排安放槽内的多组母排，所述母排的组数与所述筋条的数量相同。本发明通过采用定位孔固定弹簧引线，采用母排定位器将母排固定在母排定位槽内，避免了焊接弹簧引线和母排过程中外部定位工装的使用，且焊接完成后不需拆除母排定位器，从而提高了产品的质量和生产效率。
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公开(公告)号：CN103904016A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410135844.7
申请日：2014-04-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67316
Abstract: 本发明提出了一种走线单元，包括本体，以及沿水平方向等间距形成在所述本体上的多个用于承载硅片的承片槽；所述承片槽均在水平方向上朝向同一方向倾斜设置，并且所述承片槽的任一侧壁所在的平面和与水平方向垂直的竖直平面之间均形成相同的第一预设夹角；其在本体上形成有朝向同一方向倾斜的多个承片槽，并且承片槽的侧壁所在平面和水平方向垂直的竖直平面之间形成的相同的第一预设夹角，当把相同厚度的硅片分别放置在多个承片槽内，硅片均朝向同一方向倾斜，并且倾斜的角度均大致相等，从而使得硅片之间的间距的一致性较高，进而提高了各个硅片之间的杂质扩散的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103745942A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310749790.9
申请日：2013-12-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种判断功率半导体模块基板拱度的装置及其方法，装置包括测量模块，对功率半导体模块基板的表面进行取点操作，在其表面测取三个以上的测量点，并将其空间位置数据传送至处理模块；处理模块，根据测量点的空间位置数据，经过计算处理得到基准面空间位置数据，进而得到并输出功率半导体模块基板表面与基准面空间位置数据的差值数据至显示模块，输出平面度数据，计算基板的最高点位置数据，并判断数据是否合格；显示模块，接收处理模块传送的差值数据并生成图形，判断图形是否合格，结合处理模块的数据判断结果输出最终结果。本发明能满足对功率半导体模块基板轮廓进行判断的需求，快速简单地对基板的平面度，以及凹面和凸面进行判断。
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公开(公告)号：CN103367303A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310278700.2
申请日：2013-07-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L25/00
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种一体化门极电阻布局的大功率IGBT模块，包括PCB板、母排以及衬板，所述衬板与PCB板通过门极弹簧线相连，所述PCB板上直接焊接有门极电阻。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、能够提高门极电阻焊接工艺效率、简化衬板电路设计等优点。
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公开(公告)号：CN103219372A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310122747.X
申请日：2013-04-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管，晶闸管包括N-衬底、P基区、P+短基区、N+发射区、门极金属电极和阴极金属电极。N+发射区、P+短基区、P基区、N-衬底依次排布，阴极金属电极设置在N+发射区外表面，门极金属电极设置在P+短基区外表面。晶闸管的门阴极结为二层台阶结构，第一层台阶为浅台阶，第一层台阶的底部为P+N+边界。第二层台阶为深台阶，第二层台阶的底部为PN+边界。具有该结构的门极换流晶闸管进一步包括N′缓冲层和P+阳极区。本发明门阴极结能够减少晶闸管N+发射区注入的电子在P+短基区和P基区的复合，增强晶闸管的电导调制效应，并可以进一步提高其导通电流和开通速度。
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公开(公告)号：CN102130021B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201110000519.6
申请日：2011-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司 , 中国电力科学研究院
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还公开一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
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公开(公告)号：CN101770960B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910247044.3
申请日：2009-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种灌注保护胶的装置，包括灌胶模具，还包括一端敞口的筒状密闭容器，该筒状密闭容器包括保护胶注入口、使该筒状密闭容器产生负压的负压装置、用于向保护胶施压以输出保护胶的加压装置和用于向所述灌胶模具输出保护胶的输出管路。本发明的保护胶灌注装置由于采用筒状密闭容器对保护胶抽真空，因负压作用，保护胶中的气泡受保护胶挤压而排出，可以使固化后的保护胶形成致密的结构，使得保护胶层具有更好的绝缘效果，从而提高芯片的表面击穿电压。
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