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公开(公告)号：CN105244266B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510703099.6
申请日：2015-10-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于SiC领域，尤其涉及一种SiC晶圆的欧姆接触形成方法。本发明提供的方法包括以下步骤：a)、SiC晶圆表面沉积金属层，得到表面沉积有金属层的SiC晶圆；b)、所述表面沉积有金属层的SiC晶圆进行退火处理，得到形成欧姆接触的SiC晶圆；所述退火处理包括若干个升温阶段、若干个保温阶段和若干个降温阶段，所述退火处理中的至少一个阶段在CO2气氛中进行。本发明提供的方法在沉积有金属层的SiC晶圆进行退火的过程中通入了CO2气体，CO2气体与退火过程中生成的碳单质反应生成CO气体，从而在退火过程中实现了碳单质的有效去除，因此无需额外增加除碳工艺，大大简化了SiC晶圆欧姆接触工艺的处理流程。
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公开(公告)号：CN104282765B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201410619955.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面完全外延一层P－外延层，由于外延层之后的P－外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中载流子碰撞或散射几率会降低，从而提高碳化硅MOS器件反型沟道载流子迁移率，达到降低器件导通电阻的目的。
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公开(公告)号：CN104599946B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410815606.0
申请日：2014-12-24
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在SiC功率器件中的应用，检测说明得到的碳保护膜的纯度高、高温稳定性好，可以有效地保护高温激活退火过程中SiC晶圆的表面形貌。
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公开(公告)号：CN104637801A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510047816.4
申请日：2015-01-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L21/28 , H01L21/324 , H01L29/66068
Abstract: 本发明涉及一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法，属于SiC MOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO2栅氧化层，然后在500～1000℃，优选700～800℃下，包含Cl2的环境中退火该栅氧化层。优选以0.5-2slm的速率通入Cl2与惰性气体的混合气体，退火压力为100～1000mbar，保持时间30～180min。所述方法使用Cl2退火栅介质SiO2层，可以消除SiO2栅介质层中的氧空位陷阱电荷，提高SiC MOSFET器件中SiO2栅介质层的临界击穿电场和耐压能力。
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公开(公告)号：CN104599946A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410815606.0
申请日：2014-12-24
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在SiC功率器件中的应用，检测说明得到的碳保护膜的纯度高、高温稳定性好，可以有效地保护高温激活退火过程中SiC晶圆的表面形貌。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102750451B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210224106.0
申请日：2012-07-02
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种电机速度计算装置，速度传感器输出的一组速度脉冲，脉冲输入A和脉冲输入B输入低通滤波模块进行滤波后分别送入方向判定模块和脉冲选择模块。方向判定模块根据脉冲输入A和脉冲输入B的相位差判断出当前的速度方向，脉冲选择模块从脉冲输入A和脉冲输入B两个脉冲中选择出一个适合计算的脉冲输出至频率计算模块、零速判定模块，以及占空比计算模块。零速判定模块负责判定当前的速度传感器无输出脉冲时输出零速标识。频率计算模块负责计算并输出脉冲频率。占空比计算模块负责计算并输出当前脉冲的占空比信号。本发明解决了现有技术存在的实时性、准确性和稳定性不高，不适用于多路输入信号处理和并行运算功能的技术问题。
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公开(公告)号：CN103000698A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210483461.X
申请日：2012-11-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法，该SiC结势垒肖特基二极管包括：N+-SiC衬底；形成于该N+-SiC衬底之上的同型N--SiC外延层；形成于该N--SiC外延层上的肖特基金属接触；形成于该肖特基金属接触之下N-区域中的P型区；形成于该肖特基金属接触边缘处的一个P-型环，该P-型环作为结终端延伸区域；形成于该P-型环上的n个P+型环，n≥2；形成于该n个P+型环间的SiO2钝化层；以及形成于该N+-SiC衬底背面的N型欧姆接触。本发明提出的SiC结势垒肖特基二极管，能够降低器件表面的峰值电场，有利于提高器件的击穿电压，且通过一次Al离子注入结合刻蚀的方法，避免了多次Al离子注入，器件制备工艺相对简单。
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公开(公告)号：CN102843090A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110167958.6
申请日：2011-06-21
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H02P21/14
Abstract: 本发明提供的基于SVPWM调制的永磁同步电机开环控制方法及系统，对于每个给定的定子电源频率通过查找定子电压和定子电源频率的二维向量表来查找给定的定子电源频率对应的定子电压的幅值。该二维向量表是根据分段式压频比曲线预先设定的，即本发明提供的二维向量表中的定子电压和定子电源频率的比值不是一个常值，而且在不同的区间段是不同的。而现有技术中由于压频比是一个常值，所以当负载变化时，电机容易失步，导致系统过流。而本发明提供的方法中分段式的压频比可以保证电机适应负载的变化，降低电机的损耗，提高效率。恒功率区，引入了相位补偿控制，用调节后的相位实现弱磁可控，实现弱磁拓速。
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公开(公告)号：CN102832874A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210044107.7
申请日：2012-02-24
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电机控制系统及方法，该系统及方法在定子频率大于电机的基频时，根据定子频率、电机的基频、输入逆变单元的直流电压信号以及第一给定磁链确定磁链调节量；在定子频率不大于电机的基频时，确定磁链调节量为0；从而在定子频率大于电机的基频时，通过磁链调节量对第一给定磁链进行修正，得到第二给定磁链，通过第二给定磁链确定开关控制信号，从而实现了对二次谐振分量的弱磁修正，直接控制力矩脉动，抑制电机上产生的拍频现象；而且，相对于现有技术中的电机控制方法，无需使用LC元件，因此不存在现有技术中使用LC元件导致的体积大、质量重、发热量大、成本高且参数不好配比等问题。
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公开(公告)号：CN101777861B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010118142.X
申请日：2010-02-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种永磁同步电机初始定位装置，包括一逆变器，所述逆变器的A相上桥臂的开关管、B相下桥臂的开关管和C相下桥臂的开关管导通，A相下桥臂的开关管、B相上桥臂的开关管和C相上桥臂的开关管断开；所述逆变器的A相输出点通过一分压电阻与永磁同步电机的A相定子绕组的首端连接，所述逆变器的B相输出点与所述永磁同步电机的B相定子绕组的首端连接，所述逆变器的C相输出点与所述永磁同步电机的C相定子绕组的首端连接，所述分压电阻的阻值大于或等于逆变器输出初始定位所需电流时能够输出的最小电压与该初始定位所需电流的商、再减去永磁同步电机的三相定子绕组的等效电阻所得的差。
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