公开(公告)号：CN108947520A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810671772.6

申请日：2018-06-26

Applicant: 株洲冶炼集团股份有限公司

Inventor： 梅方胜 ,  袁铁锤 ,  陈立三 ,  杨杨 ,  刘文德 ,  李瑞迪 ,  赵为上 ,  苗华磊

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C23C14/35

CPC classification number: C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种ITO烧结靶材的制备方法，包括以下步骤：将In2O3粉末和SnO2粉末一起经湿法球磨，得ITO浆料，其中，In2O3粉末和SnO2粉末的原始粒径比为1：(1.0‑2.0)，In2O3粉末的原始粒径为50nm‑200nm；将所得ITO浆料经喷雾造粒，得ITO造粒粉体；将所得ITO造粒粉体装入冷压模具中，经振动和抽真空操作后，再经一步冷等静压成型，得ITO坯体；将所得ITO坯体在氧气气氛下进行烧结，即得所述ITO烧结靶材。该制备方法所得ITO烧结靶材具有高密度、低电阻率和高强度的优异性质，解决现有技术的ITO烧结靶材的制备方法工艺流程复杂、成本高、对环境污染较大的问题。

公开(公告)号：CN108947520B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201810671772.6

申请日：2018-06-26

Applicant: 株洲冶炼集团股份有限公司

Inventor： 梅方胜 ,  袁铁锤 ,  陈立三 ,  杨杨 ,  刘文德 ,  李瑞迪 ,  赵为上 ,  苗华磊

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种ITO烧结靶材的制备方法，包括以下步骤：将In2O3粉末和SnO2粉末一起经湿法球磨，得ITO浆料，其中，In2O3粉末和SnO2粉末的原始粒径比为1：(1.0‑2.0)，In2O3粉末的原始粒径为50nm‑200nm；将所得ITO浆料经喷雾造粒，得ITO造粒粉体；将所得ITO造粒粉体装入冷压模具中，经振动和抽真空操作后，再经一步冷等静压成型，得ITO坯体；将所得ITO坯体在氧气气氛下进行烧结，即得所述ITO烧结靶材。该制备方法所得ITO烧结靶材具有高密度、低电阻率和高强度的优异性质，解决现有技术的ITO烧结靶材的制备方法工艺流程复杂、成本高、对环境污染较大的问题。