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公开(公告)号：CN108010904A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610949501.3
申请日：2016-11-02
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块，包括：衬板组件、外壳框架、负载连接装置、压力件和辅助连接件。衬板组件设置于外壳框架的底部，压力件通过与外壳框架的连接配合将负载连接装置和辅助连接件压接于衬板组件上，负载连接装置以弹性触通方式压接于衬板组件上。通过负载连接装置与衬板组件的压接实现负载电路的连通，通过辅助连接件与衬板组件的压接实现控制电路的连通。本发明结构简单，便于拆装维护，易形成标准化的模块，能够解决现有功率半导体模块结构复杂、不便于拆装维护、连接不可靠的技术问题。
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公开(公告)号：CN108010891A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610943436.3
申请日：2016-11-02
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/32 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块，包括：冷却构件、壳体、基底、功率半导体器件，以及两个以上的负载连接件。负载连接件以弹性触通方式压接于壳体与冷却构件之间，基底布置在冷却构件上。基底包括在其面向功率半导体模块内部形成的导电带，以及布置于导电带与冷却构件之间的绝缘层。至少两个负载连接件构成为具有压力传递区段和自压力传递区段伸出引脚的金属成型体，至少一个负载连接件的引脚上具有导电的弹性触指。通过壳体向负载连接件的压力传递使弹性触指变形而与基底上的导电带接触导通。本发明能够解决现有功率半导体模块引脚与导电带之间压力大小的可控性差，不同位置的引脚与导电带之间压力的一致性差的技术问题的技术问题。
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公开(公告)号：CN107770980A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610688245.7
申请日：2016-08-18
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H05K5/02
Abstract: 本发明涉及IGBT模块。该IGBT模块包括：IGBT衬板，安装在所述IGBT衬板上的压盖，在所述压盖上贯穿设置有探针安装孔，导电性的探针，其主体处于所述探针安装孔内，上触头和下触头延伸到所述探针安装孔之外，并且所述下触头与所述IGBT衬板接触。在探针的主体上构造有与所述探针安装孔过盈配合的锁紧凸起。在本发明的IGBT模块中，不再使用易被损坏的弹性环将探针与压盖接合，而且方便了使用者的操作。
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公开(公告)号：CN107293495A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610194446.1
申请日：2016-03-31
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率模块及其制造方法，属于电子器件技术领域，解决了的传统的功率模块集成度低，应用开发难度较高的技术问题。该制造方法包括：形成设置有功率芯片、栅极电阻以及温敏电阻的芯片单元；将多个芯片单元设置在散热底板上，并在芯片单元上连接导电件；在散热底板上环绕芯片单元设置铜排结构和电流传感器，铜排结构具有正极端部，负极端部和交流极端部，电流传感器套设在交流极端部上；进行芯片单元内部、芯片单元之间以及铜排结构和芯片单元之间的电位连接，使得多个芯片单元构成半桥电路；在铜排结构上设置隔板，隔板具有镂空图案，导电件穿过所述镂空图案；在隔板上设置驱动电路板并连接导电件和驱动电路板。
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公开(公告)号：CN107293495B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610194446.1
申请日：2016-03-31
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率模块及其制造方法，属于电子器件技术领域，解决了的传统的功率模块集成度低，应用开发难度较高的技术问题。该制造方法包括：形成设置有功率芯片、栅极电阻以及温敏电阻的芯片单元；将多个芯片单元设置在散热底板上，并在芯片单元上连接导电件；在散热底板上环绕芯片单元设置铜排结构和电流传感器，铜排结构具有正极端部，负极端部和交流极端部，电流传感器套设在交流极端部上；进行芯片单元内部、芯片单元之间以及铜排结构和芯片单元之间的电位连接，使得多个芯片单元构成半桥电路；在铜排结构上设置隔板，隔板具有镂空图案，导电件穿过所述镂空图案；在隔板上设置驱动电路板并连接导电件和驱动电路板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108010892A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610943440.X
申请日：2016-11-02
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L23/32 , H01L25/072
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块焊接装置，包括：基板组件、固定平板、弹性压接件和功率端子，基板组件包括底板，以及布置在底板上的绝缘件，绝缘件上布置有半导体芯片和焊接部。固定平板通过弹性压接件固定在基板组件上，固定平板和基板组件之间形成有容纳功率端子的空间。功率端子穿过固定平板，并抵接于固定平板的上底面下方，功率端子末端的引脚部在固定平板的定位作用下与焊接部相接触，通过弹性压接件实现功率端子在固定和焊接过程中的压力调节。本发明能够解决现有功率半导体模块封装工艺中功率端子焊接工装复杂，焊接应力难以释放导致焊接质量不高及焊接装置难以扩展使用的技术问题。
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公开(公告)号：CN107733246A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610674190.4
申请日：2016-08-16
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H02M7/00
CPC classification number: H02M7/003
Abstract: 本发明提供一种均流式并联IGBT模块组件，其包括：散热器，其具有正面和背面；多个IGBT模块，与适配板配对使用并一字排列固定安装在散热器的正面上；并联铜排，其安置在所述多个IGBT模块之上，并与多个IGBT模块中处于中间位置的一个或多个IGBT模块的交流端固定连接；交流输出铜排，其搭接在并联铜排的上方，并将交流输出铜排的两端与并联铜排的两端固定连接，同时将多个IGBT模块中处于外侧的模块的交流输出端与交流输出铜排的两端分别短接，其中交流输出铜排的中部不与并联铜排的中部接触，并具有间隙，以使得并联铜排上流过的电流与交流输出铜排上流过的电流在水平方向上重合，但流向相反。
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公开(公告)号：CN108010892B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201610943440.X
申请日：2016-11-02
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块焊接装置，包括：基板组件、固定平板、弹性压接件和功率端子，基板组件包括底板，以及布置在底板上的绝缘件，绝缘件上布置有半导体芯片和焊接部。固定平板通过弹性压接件固定在基板组件上，固定平板和基板组件之间形成有容纳功率端子的空间。功率端子穿过固定平板，并抵接于固定平板的上底面下方，功率端子末端的引脚部在固定平板的定位作用下与焊接部相接触，通过弹性压接件实现功率端子在固定和焊接过程中的压力调节。本发明能够解决现有功率半导体模块封装工艺中功率端子焊接工装复杂，焊接应力难以释放导致焊接质量不高及焊接装置难以扩展使用的技术问题。
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公开(公告)号：CN108010904B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201610949501.3
申请日：2016-11-02
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块，包括：衬板组件、外壳框架、负载连接装置、压力件和辅助连接件。衬板组件设置于外壳框架的底部，压力件通过与外壳框架的连接配合将负载连接装置和辅助连接件压接于衬板组件上，负载连接装置以弹性触通方式压接于衬板组件上。通过负载连接装置与衬板组件的压接实现负载电路的连通，通过辅助连接件与衬板组件的压接实现控制电路的连通。本发明结构简单，便于拆装维护，易形成标准化的模块，能够解决现有功率半导体模块结构复杂、不便于拆装维护、连接不可靠的技术问题。
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公开(公告)号：CN108010891B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201610943436.3
申请日：2016-11-02
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/32 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块，包括：冷却构件、壳体、基底、功率半导体器件，以及两个以上的负载连接件。负载连接件以弹性触通方式压接于壳体与冷却构件之间，基底布置在冷却构件上。基底包括在其面向功率半导体模块内部形成的导电带，以及布置于导电带与冷却构件之间的绝缘层。至少两个负载连接件构成为具有压力传递区段和自压力传递区段伸出引脚的金属成型体，至少一个负载连接件的引脚上具有导电的弹性触指。通过壳体向负载连接件的压力传递使弹性触指变形而与基底上的导电带接触导通。本发明能够解决现有功率半导体模块引脚与导电带之间压力大小的可控性差，不同位置的引脚与导电带之间压力的一致性差的技术问题的技术问题。
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