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公开(公告)号：CN112969741A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202080006054.2
申请日：2020-02-10
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及聚酰亚胺前体组合物和使用其制造的聚酰亚胺膜。根据本发明，由于聚酰亚胺膜由具有有利于表面电荷累积的结构的聚酰亚胺前体和具有能够表现出高耐热特性的结构的聚酰亚胺前体的混合物制造，因此使用所述聚酰亚胺膜作为基底的柔性装置可以具有高耐热特性和改善的由在TFT器件的运行期间产生的电场引起的电荷累积特性二者。
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公开(公告)号：CN112074560A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201980030175.8
申请日：2019-10-15
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 根据本发明，通过使用聚酰亚胺膜作为柔性显示器用基底可以减少卷绕工艺期间的损坏例如膜撕裂，所述聚酰亚胺膜具有5μm至10μm的厚度，3GPa至8GPa的模量，200nm至600nm的面外延迟(Rth)的绝对值，和在100MPa的拉力下10％或更小的应变。此外，由于所述聚酰亚胺膜具有相对于无机基底的低残余应力，因此减少了TFT工艺期间缺陷的出现。因此，可以改善柔性显示器的加工可靠性。此外，将所述聚酰亚胺膜的饱和静电半衰期控制为250秒或更长，以使饱和静电的电压损耗比最小化并在TFT操作期间减少电流降，并因此能够提供具有改善的发光度的显示器。
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公开(公告)号：CN110494475B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201880021220.9
申请日：2018-08-27
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08J5/18 , C08L79/08 , C08G73/10 , G02F1/1333
Abstract: 根据本发明的聚酰亚胺膜可以有效地用作即使在350℃或更高的温度下耐热性也不劣化的用于柔性显示装置的基底，原因是聚酰亚胺膜的在100℃至350℃的区间中的热膨胀系数(A)与聚酰亚胺膜的在350℃至450℃的区间中的热膨胀系数(B)满足0
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公开(公告)号：CN110832015A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201880042280.9
申请日：2018-07-20
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08J5/18 , C08L79/08 , C08G73/10 , G02F1/1333
Abstract: 本发明涉及在硅晶片上显示出低的应力变化率的聚酰亚胺膜。在用于在高温下在聚酰亚胺基底上沉积无机膜的过程中，本发明可以使由于聚酰亚胺的应力变化而形成的裂纹最小化，并因此可以减少柔性显示器的电特性劣化例如可恢复的残像和电流减小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112969741B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202080006054.2
申请日：2020-02-10
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及聚酰亚胺前体组合物和使用其制造的聚酰亚胺膜。根据本发明，由于聚酰亚胺膜由具有有利于表面电荷累积的结构的聚酰亚胺前体和具有能够表现出高耐热特性的结构的聚酰亚胺前体的混合物制造，因此使用所述聚酰亚胺膜作为基底的柔性装置可以具有高耐热特性和改善的由在TFT器件的运行期间产生的电场引起的电荷累积特性二者。
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公开(公告)号：CN110494475A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880021220.9
申请日：2018-08-27
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08J5/18 , C08L79/08 , C08G73/10 , G02F1/1333
Abstract: 根据本发明的聚酰亚胺膜可以有效地用作即使在350℃或更高的温度下耐热性也不劣化的用于柔性显示装置的基底，原因是聚酰亚胺膜的在100℃至350℃的区间中的热膨胀系数(A)与聚酰亚胺膜的在350℃至450℃的区间中的热膨胀系数(B)满足0
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公开(公告)号：CN112074560B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN201980030175.8
申请日：2019-10-15
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 根据本发明，通过使用聚酰亚胺膜作为柔性显示器用基底可以减少卷绕工艺期间的损坏例如膜撕裂，所述聚酰亚胺膜具有5μm至10μm的厚度，3GPa至8GPa的模量，200nm至600nm的面外延迟(Rth)的绝对值，和在100MPa的拉力下10％或更小的应变。此外，由于所述聚酰亚胺膜具有相对于无机基底的低残余应力，因此减少了TFT工艺期间缺陷的出现。因此，可以改善柔性显示器的加工可靠性。此外，将所述聚酰亚胺膜的饱和静电半衰期控制为250秒或更长，以使饱和静电的电压损耗比最小化并在TFT操作期间减少电流降，并因此能够提供具有改善的发光度的显示器。
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公开(公告)号：CN110959022B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201880048070.0
申请日：2018-09-11
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08J5/18 , C08L79/08 , C08G73/10 , G02F1/1333
Abstract: 本发明提供了显示器基底聚酰亚胺膜，其具有：显著改善的绝缘特性；包含在聚酰亚胺膜中的最大尺寸为10nm或更小的内部孔；和350V/μm或更大的高的最大介电击穿电压。根据本发明的聚酰亚胺膜具有改善的绝缘特性，以便于能够抑制显示器例如OLED中随着TFT装置的长期驱动而产生TFT的电流波动，从而能够使显示器的对比度的劣化降低。
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公开(公告)号：CN110959022A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201880048070.0
申请日：2018-09-11
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08J5/18 , C08L79/08 , C08G73/10 , G02F1/1333
Abstract: 本发明提供了显示器基底聚酰亚胺膜，其具有：显著改善的绝缘特性；包含在聚酰亚胺膜中的最大尺寸为10nm或更小的内部孔；和350V/μm或更大的高的最大介电击穿电压。根据本发明的聚酰亚胺膜具有改善的绝缘特性，以便于能够抑制显示器例如OLED中随着TFT装置的长期驱动而产生TFT的电流波动，从而能够使显示器的对比度的劣化降低。
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