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公开(公告)号：CN110076683A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910120242.7
申请日：2014-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/015 , B24B37/27 , B24B37/34 , B24B55/03
Abstract: 本发明提供一种通过调整研磨垫的表面温度可使研磨率提高，并且也可控制研磨的基板的研磨轮廓的研磨方法及研磨装置。将基板按压在研磨台上的研磨垫上来研磨基板的研磨方法具备：研磨垫(3)的表面温度调整工序，其是调整研磨垫(3)的表面温度的工序；及研磨工序，其是在调整后的表面温度下将基板按压在研磨垫(3)上来研磨基板；研磨垫(3)的表面温度调整工序，为调整基板接触的研磨垫(3)的一部分区域的表面温度，以使在研磨工序中，在研磨垫(3)的表面的径向上的温度轮廓的温度变化率在研磨垫径向保持一定。
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公开(公告)号：CN107199504B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201710322039.9
申请日：2013-09-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/20 , B24B37/015
CPC classification number: B24B37/005 , B24B9/065 , B24B49/03 , B24B49/14
Abstract: 本发明提供一种研磨方法及研磨装置，在晶片等衬底的研磨中或研磨前，根据研磨垫的弹性模量来调整研磨条件。研磨装置通过使衬底(W)和研磨垫(22)相对移动来研磨衬底(W)。弹性模量测定器(110)测定研磨垫(22)的弹性模量，研磨条件调整部(47)根据弹性模量的测定值来调整衬底(W)的研磨条件。作为研磨条件，能够列举配置在衬底(W)的周缘部的扣环对研磨垫(22)的压力和研磨垫(22)的温度。
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公开(公告)号：CN104416451A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410424687.1
申请日：2014-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/015
CPC classification number: B24B37/015 , B24B49/14 , B24B55/02 , G01J5/025 , G01J2005/0085
Abstract: 本发明提供一种通过调整研磨垫的表面温度可使研磨率提高，并且也可控制研磨的基板的研磨轮廓的研磨方法及研磨装置。将基板按压在研磨台上的研磨垫上来研磨基板的研磨方法具备：研磨垫(3)的表面温度调整工序，其是调整研磨垫(3)的表面温度的工序；及研磨工序，其是在调整后的表面温度下将基板按压在研磨垫(3)上来研磨基板；研磨垫(3)的表面温度调整工序，为调整基板接触的研磨垫(3)的一部分区域的表面温度，以使在研磨工序中，在研磨垫(3)的表面的径向上的温度轮廓的温度变化率在研磨垫径向保持一定。
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公开(公告)号：CN102179757A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010621521.0
申请日：2010-12-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/00 , B24B39/00 , B24B49/14 , B24B55/03 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/015 , B24B37/042 , B24B37/10 , B24B37/34 , B24B55/02
Abstract: 提供了一种用于抛光基板的设备。所述设备包括：支撑抛光垫的可旋转抛光台；被构造为保持基板并且将基板压靠在所述旋转抛光台上的抛光垫的抛光面上从而抛光基板的基板保持器；被构造为测定抛光垫的抛光面温度的垫温度检测器；被构造为接触抛光垫的抛光面从而调节抛光面温度的垫温度调节器；以及被构造为通过基于所述垫温度检测器检测到的抛光面温度信息控制所述垫温度调节器以控制抛光面温度的温度控制器。
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公开(公告)号：CN112658972B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202011096050.6
申请日：2020-10-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/015 , B24B37/34 , B24B37/013 , B24B37/20
Abstract: 提供一种能够不在晶片等基板产生划痕等缺陷地对研磨垫的表面温度进行调节的研磨装置。研磨装置(PA)具备非接触型的垫温度调节装置(5)及垫温度测定器(10)。在研磨台(2)的旋转方向上，垫温度测定器(10)相邻配置在垫温度调节装置(5)的下游侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118809429A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410462386.1
申请日：2024-04-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B49/14 , B24B37/30
Abstract: 本发明提供一种研磨方法、研磨装置及存储有温度调节程序的计算机可读取存储介质，在晶片等工件的研磨中能够根据工件的膜的状态适当地控制研磨垫的研磨面的温度。本研磨方法一边在研磨垫(3)的研磨面(3a)上研磨样本，一边通过表面状态检测器(20)检测样本的表面状态，制作表示样本的表面状态的时间推移的时序数据，基于时序数据决定样本的表面状态发生特征性变化的时刻，基于决定的时刻决定温度控制时间，一边在研磨垫(3)的研磨面(3a)上研磨工件(W)，一边通过垫温度调节装置(10)基于温度控制时间控制研磨垫(3)的研磨面(3a)的温度。
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公开(公告)号：CN107097145B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201710096031.5
申请日：2017-02-22
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种能够将研磨垫的表面温度保持在所期望的目标温度的用于对研磨垫的表面温度进行调整的装置和方法。一种用于对研磨垫(3)的表面温度进行调整的装置，其具备：垫接触构件(11)，其可与研磨垫(3)的表面接触，且在内部形成有加热流路(61)和冷却流路(62)；加热液供给管(32)，其连接到加热流路(61)；冷却液供给管(51)，其连接到冷却流路(62)；第一流量控制阀(42)，其安装于加热液供给管(32)；第二流量控制阀(56)，其安装于冷却液供给管(51)；垫温度测定器(39)，其对研磨垫(3)的表面温度进行测定；以及阀控制部(40)，其基于研磨垫(3)的表面温度对第一流量控制阀(42)和第二流量控制阀(56)进行操作。
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公开(公告)号：CN112004640A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980026985.6
申请日：2019-04-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/02 , B24B49/12 , B24B53/017 , H01L21/304
Abstract: 本发明关于研磨装置及包含这种研磨装置的研磨系统，该研磨装置具备测定用于研磨半导体晶圆等基板的研磨垫的表面性状的表面性状测定装置。研磨装置具备：测定研磨垫(2)的表面性状的表面性状测定装置(30)；支承表面性状测定装置(30)的支承臂(50)；及与支承臂(50)连结，使表面性状测定装置(30)从待避位置自动移动至测定位置的移动单元(53)。
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公开(公告)号：CN102179757B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201010621521.0
申请日：2010-12-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/00 , B24B39/00 , B24B49/14 , B24B55/03 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/015 , B24B37/042 , B24B37/10 , B24B37/34 , B24B55/02
Abstract: 提供了一种用于抛光基板的设备。所述设备包括：支撑抛光垫的可旋转抛光台；被构造为保持基板并且将基板压靠在所述旋转抛光台上的抛光垫的抛光面上从而抛光基板的基板保持器；被构造为测定抛光垫的抛光面温度的垫温度检测器；被构造为接触抛光垫的抛光面从而调节抛光面温度的垫温度调节器；以及被构造为通过基于所述垫温度检测器检测到的抛光面温度信息控制所述垫温度调节器以控制抛光面温度的温度控制器。
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公开(公告)号：CN1659686A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03812994.9
申请日：2003-05-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , C23C18/00 , C25C7/00 , C25D5/00
CPC classification number: H01L21/67051 , C23C18/1619 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/02
Abstract: 一种衬底处理设备，具有处理槽(10)、罩(40)、喷嘴(60)和衬底头(80)。处理槽(10)用于在容纳于其中的镀液(Q)中对衬底(W)进行镀膜；罩(40)用于有选择地打开和关闭该处理槽(10)的开口(11)；喷嘴(60)安装在罩(40)的上表面；衬底头(80)用于吸引衬底(W)的背面以夹持衬底(W)。随着罩(40)从处理槽(10)的开口(11)移开，衬底头(80)降低以把衬底(W)浸在镀液(Q)内，用于对衬底(W)进行镀膜。当衬底头(80)提升同时处理槽(10)开口(11)由罩(40)关闭时，衬底(W)通过喷嘴(60)清洁。
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