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公开(公告)号：CN108705383B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201810253976.8
申请日：2018-03-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供基板处理方法、基板处理装置及基板处理系统，能够在研磨基板的周缘部后清洗基板的周缘部，并确认该清洗效果，另外能够清洗以往不太能够清洗到的区域即基板的周缘部。基板保持部(2)保持基板(W)并使其旋转，通过第一头(3A、3B)将具有磨粒的研磨带(PT)按压于基板(W)的周缘部而研磨基板(W)的周缘部，通过清洗喷嘴(53)向研磨后的基板(W)的周缘部供给清洗液而清洗基板(W)的周缘部，通过第二头(3D)使不具有磨粒的带(T)与清洗后的基板(W)的周缘部接触，通过传感器(70)对与基板(W)的周缘部接触后的带(T)照射光并接收来自带(T)的反射光，在接收的反射光的强度低于规定值的情况下判定为基板(W)的周缘部被污染。
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公开(公告)号：CN110610848A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910505486.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种能够防止异物向基板附着的基板处理方法。该基板处理方法具备：基板旋转工序，在保持基板(W)的状态下使基板(W)旋转；第一液体上侧供给工序，一边使基板(W)旋转一边向基板(W)的上表面供给第一液体；研磨工序，一边在使基板(W)旋转的状态下供给第一液体一边将研磨带(23)向基板(W)按压；第二液体上侧供给工序，一边使基板(W)旋转一边向基板(W)的上表面供给第二液体；以及清洗工序，一边在使基板(W)旋转的状态下供给第二液体一边将清洗带(29)向基板W按压，并且该清洗工序在研磨工序结束后结束。第二液体是导电性水、表面活性剂溶液和臭氧水中的任一种。
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公开(公告)号：CN114270475A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080057950.1
申请日：2020-07-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明关于一种清洗晶片等的基板的基板清洗方法及基板清洗装置。在基板清洗方法中，由多个保持辊(6)保持基板(W)的周缘部，通过使多个保持辊(6)以各自轴心为中心旋转，从而使基板(W)以其轴心为中心旋转，一边使双流体喷流喷嘴(2)在基板(W)的半径方向移动，一边将由第一液体与气体的混合物构成的双流体喷流从双流体喷流喷嘴(2)导入基板(W)的表面，在将双流体喷流导入基板(W)的表面时，将由第二液体构成的扇状喷流从喷雾喷嘴(3)导入基板(W)的表面，在基板(W)的表面上形成第二液体的液流。扇状喷流从双流体喷流离开。
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公开(公告)号：CN108705422A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810286499.5
申请日：2018-03-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B23B31/307 , B24B37/30 , B24B41/068 , H01L21/6838 , Y10T279/11 , B24B21/008 , B24B21/004 , B24B41/06 , B24B53/10 , B24B57/02
Abstract: 本发明提供真空吸附垫和基板保持装置，该真空吸附垫能够在对基板进行真空吸附时使基板难以剥离。真空吸附垫(8)具有：垫主体(37)，该垫主体(37)的下表面粘贴于基板保持装置(2)的工作台(5)；以及多个圆弧状的基板保持凸部(38)，该多个圆弧状的基板保持凸部(38)设置于垫主体(37)的上表面，对真空吸附于垫主体(37)的上表面的基板(W)进行保持。圆弧状的基板保持凸部(38)配置成与圆形的垫主体(37)呈同心圆状，多个圆弧状的基板保持凸部(38)中的配置在径向外侧的基板保持凸部(38)的径向的宽度(W1)比配置在径向内侧的基板保持凸部(38)的径向的宽度(W2)窄。
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公开(公告)号：CN108705383A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810253976.8
申请日：2018-03-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L21/67051 , B24B9/065 , B24B21/002 , B24B21/004 , B24B21/008 , B24B37/00 , H01L21/02021 , H01L21/02087 , H01L21/67288 , H01L22/12 , H01L22/20 , B24B1/00 , B08B3/02 , B24B21/18 , B24B49/12
Abstract: 本发明提供基板处理方法、基板处理装置及基板处理系统，能够在研磨基板的周缘部后清洗基板的周缘部，并确认该清洗效果，另外能够清洗以往不太能够清洗到的区域即基板的周缘部。基板保持部(2)保持基板(W)并使其旋转，通过第一头(3A、3B)将具有磨粒的研磨带(PT)按压于基板(W)的周缘部而研磨基板(W)的周缘部，通过清洗喷嘴(53)向研磨后的基板(W)的周缘部供给清洗液而清洗基板(W)的周缘部，通过第二头(3D)使不具有磨粒的带(T)与清洗后的基板(W)的周缘部接触，通过传感器(70)对与基板(W)的周缘部接触后的带(T)照射光并接收来自带(T)的反射光，在接收的反射光的强度低于规定值的情况下判定为基板(W)的周缘部被污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118804817A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380025220.7
申请日：2023-02-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B21/00 , B24B21/06 , H01L21/304
Abstract: 本发明关于研磨晶片等基板的基板研磨方法。基板研磨方法中，一边使基板(W)与研磨头(10C)相对地进行圆周运动，一边使基板(W)以其轴心为中心旋转，且一边将研磨带(2B)沿其长边方向输送，一边通过研磨头(10C)将研磨带(2B)按压于被研磨面(5a)，研磨包含基板(W)的中心(O1)的中央区域和与中央区域相邻的外侧区域，研磨中央区域和外侧区域的工序包含以不同的研磨条件执行的至少两个研磨工序，至少两个研磨工序包含：以中央区域的研磨率低于外侧区域的研磨率的研磨条件执行的低研磨率工序；及以中央区域的研磨率高于外侧区域的研磨率的研磨条件执行的高研磨率工序。
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公开(公告)号：CN110858558A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910785948.5
申请日：2019-08-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够以单一的装置进行晶片的平面的处理和斜面部、顶缘部及底缘部中的至少一个处理。该基板处理装置具有：基板保持部，该基板保持部一边对基板进行保持一边使该基板旋转；第一处理头，该第一处理头对保持于所述基板保持部的所述基板的第一平面进行处理；及第二处理头，该第二处理头对保持于所述基板保持部的所述基板的周缘部进行处理。
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公开(公告)号：CN304453633S
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201730320856.1
申请日：2017-07-19
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：真空吸盘。
2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品是供贴在将半导体晶片等的薄的基板真空吸附并保持的保持装置的平坦吸附面（吸附台面）上使用的薄片状的真空吸盘。
3．本外观设计产品的设计要点：整体形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
5．本外观设计产品的仰视图和俯视图对称，左视图和右视图对称，故省略本外观设计产品的仰视图和左视图。-
公开(公告)号：CN304253876S
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201730032075.2
申请日：2017-02-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：基板研磨装置用按压部件。
2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于研磨半导体晶片等基板的边缘部，例如在显示使用状态参考图中所示，在基板研磨装置中，将本外观产品的突起部抵接在研磨带的内侧面，供研磨带的研磨面按压在旋转的基板的边缘部使用。
3．本外观设计产品的设计要点：整体形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1立体图1。
5．本外观设计产品设计1、设计2、设计3以及设计4中的左视图分别与其右视图对称，故省略前述各设计中的左视图。
6．本外观设计产品是相似外观，设计1是基本设计。
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