天线器件
    1.
    发明公开
    天线器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN120033463A

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202411499673.6

    申请日:2024-10-25

    Abstract: 本发明提供天线器件,其具备偏振转换部(16)、第一波导管路(13)和第二波导管路(21)。第一波导管路在与管长度方向(D1)垂直的管路横剖面中形成为向管高度方向(D2)延伸的剖面形状,第二波导管路在该管路横剖面中形成为向管宽度方向(D3)延伸的剖面形状。第一波导管路从偏振转换部的转换空间(17)向管长度方向上的一侧延伸,第二波导管路从转换空间向管长度方向上的另一侧延伸,在该第二波导管路连接有多个天线开口(24)。根据这样的结构,第一波导管路相对于多个天线开口设置在管长度方向上的一侧。因而,能够抑制天线器件的规格向管宽度方向扩大。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN107250807B

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201680009217.6

    申请日:2016-02-01

    Abstract: 半导体装置的制造方法具备以下工序:准备第1基板(10);在上述第1基板的一面(10a)形成Ti层(40b)成为最表面的金属膜、将该金属膜布图从而形成第1焊盘部(17);准备第2基板(20);在上述第2基板的一面(20a)形成Ti层(41b)成为最表面的金属膜、将该金属膜布图从而形成第2焊盘部(24);通过将上述第1基板及上述第2基板真空退火,将形成在上述第1焊盘部及上述第2焊盘部的上述Ti层上的氧化膜除去,将上述第1焊盘部与上述第2焊盘部接合。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN107250807A

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:CN201680009217.6

    申请日:2016-02-01

    Abstract: 半导体装置的制造方法具备以下工序:准备第1基板(10);在上述第1基板的一面(10a)形成Ti层(40b)成为最表面的金属膜、将该金属膜布图从而形成第1焊盘部(17);准备第2基板(20);在上述第2基板的一面(20a)形成Ti层(41b)成为最表面的金属膜、将该金属膜布图从而形成第2焊盘部(24);通过将上述第1基板及上述第2基板真空退火,将形成在上述第1焊盘部及上述第2焊盘部的上述Ti层上的氧化膜除去,将上述第1焊盘部与上述第2焊盘部接合。

Patent Agency Ranking