力学量传感器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108450011A

    公开(公告)日:2018-08-24

    申请号:CN201680062736.9

    申请日:2016-10-20

    Inventor: 竹谷英一

    Abstract: 一种力学量传感器,具有:形成有固定电极(437、613)的支承部(4);固定于支承部的板状的固定部(21);支承于固定部并在固定部的平面上的一个方向上延伸设置的梁部(22);第一锤部(23),在固定部的平面上的与一个方向垂直的另一方向上配置在固定部的一侧,连结于所述梁部,并且该第一锤部与梁部的连接部(231)和该第一锤部的与梁部相反一侧的前端部(232)利用在另一方向上延伸设置的连结部(233)连结,从而在连接部和前端部之间形成空间;第二锤部(24),在另一方向上在与第一锤部相反的一侧配置于固定部,连结于梁部;第一锤部在另一方向上的长度大于第二锤部在另一方向上的长度,利用第一锤部及第二锤部位移时固定电极与第一锤部及第二锤部之间的静电电容的变化来检测力学量。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN107250807B

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201680009217.6

    申请日:2016-02-01

    Abstract: 半导体装置的制造方法具备以下工序:准备第1基板(10);在上述第1基板的一面(10a)形成Ti层(40b)成为最表面的金属膜、将该金属膜布图从而形成第1焊盘部(17);准备第2基板(20);在上述第2基板的一面(20a)形成Ti层(41b)成为最表面的金属膜、将该金属膜布图从而形成第2焊盘部(24);通过将上述第1基板及上述第2基板真空退火,将形成在上述第1焊盘部及上述第2焊盘部的上述Ti层上的氧化膜除去,将上述第1焊盘部与上述第2焊盘部接合。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN107250807A

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:CN201680009217.6

    申请日:2016-02-01

    Abstract: 半导体装置的制造方法具备以下工序:准备第1基板(10);在上述第1基板的一面(10a)形成Ti层(40b)成为最表面的金属膜、将该金属膜布图从而形成第1焊盘部(17);准备第2基板(20);在上述第2基板的一面(20a)形成Ti层(41b)成为最表面的金属膜、将该金属膜布图从而形成第2焊盘部(24);通过将上述第1基板及上述第2基板真空退火,将形成在上述第1焊盘部及上述第2焊盘部的上述Ti层上的氧化膜除去,将上述第1焊盘部与上述第2焊盘部接合。

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