-
公开(公告)号：CN114787656B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202080083347.0
申请日：2020-12-02
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01S15/931
Abstract: 具备：超声波传感器，其设置于车辆中的距路面的高度为规定位置的部分，形成有多个超声波元件，该多个超声波元件朝向车辆的外侧发送探测波，并且接收探测波由障碍物反射回来的反射波作为接收波；以及控制部，其基于接收波导出距障碍物的距离即障碍物距离及障碍物的高度即障碍物高度来进行规定的处理。而且，控制部在导出障碍物距离及障碍物高度的情况下，基于多个超声波元件所接收的接收波的强度及多个超声波元件所接收的接收波的相位差，导出障碍物距离及障碍物高度。
-
公开(公告)号：CN112424402B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201980047401.3
申请日：2019-07-18
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体晶片中，在碳化硅晶片(10a)的表面具备由碳化硅构成的外延层(10b)。该半导体晶片中，通过进行外延层的表面的平坦度的评价的表面形状测定装置，在评价区内进行上述外延层的多个点的高度测定，并且进行基于该测定的高度的最小二乘法的运算从而决定表面基准面，在中心位置与评价区相同并且范围与评价区不同的曝光区内，以表面基准面为基准，将最高位置的高度设为α，将最低位置的高度设为β，将弯曲值设为|α|+|β|时，使得满足弯曲值为1μm以下的条件。
-
公开(公告)号：CN114787656A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080083347.0
申请日：2020-12-02
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01S15/931
Abstract: 具备：超声波传感器，其设置于车辆中的距路面的高度为规定位置的部分，形成有多个超声波元件，该多个超声波元件朝向车辆的外侧发送探测波，并且接收探测波由障碍物反射回来的反射波作为接收波；以及控制部，其基于接收波导出距障碍物的距离即障碍物距离及障碍物的高度即障碍物高度来进行规定的处理。而且，控制部在导出障碍物距离及障碍物高度的情况下，基于多个超声波元件所接收的接收波的强度及多个超声波元件所接收的接收波的相位差，导出障碍物距离及障碍物高度。
-
公开(公告)号：CN112424402A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980047401.3
申请日：2019-07-18
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体晶片中，在碳化硅晶片(10a)的表面具备由碳化硅构成的外延层(10b)。该半导体晶片中，通过进行外延层的表面的平坦度的评价的表面形状测定装置，在评价区内进行上述外延层的多个点的高度测定，并且进行基于该测定的高度的最小二乘法的运算从而决定表面基准面，在中心位置与评价区相同并且范围与评价区不同的曝光区内，以表面基准面为基准，将最高位置的高度设为α，将最低位置的高度设为β，将弯曲值设为|α|+|β|时，使得满足弯曲值为1μm以下的条件。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.016 seconds)
