公开(公告)号：CN112424402B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201980047401.3

申请日：2019-07-18

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 武井真也 ,  箕谷周平 ,  市川治人 ,  高桥一平 ,  若杉幸宏

IPC: C30B29/36 ,  G03F7/20 ,  H01L21/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体晶片中，在碳化硅晶片(10a)的表面具备由碳化硅构成的外延层(10b)。该半导体晶片中，通过进行外延层的表面的平坦度的评价的表面形状测定装置，在评价区内进行上述外延层的多个点的高度测定，并且进行基于该测定的高度的最小二乘法的运算从而决定表面基准面，在中心位置与评价区相同并且范围与评价区不同的曝光区内，以表面基准面为基准，将最高位置的高度设为α，将最低位置的高度设为β，将弯曲值设为|α|+|β|时，使得满足弯曲值为1μm以下的条件。

公开(公告)号：CN112424402A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980047401.3

申请日：2019-07-18

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 武井真也 ,  箕谷周平 ,  市川治人 ,  高桥一平 ,  若杉幸宏

IPC: C30B29/36 ,  G03F7/20 ,  H01L21/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体晶片中，在碳化硅晶片(10a)的表面具备由碳化硅构成的外延层(10b)。该半导体晶片中，通过进行外延层的表面的平坦度的评价的表面形状测定装置，在评价区内进行上述外延层的多个点的高度测定，并且进行基于该测定的高度的最小二乘法的运算从而决定表面基准面，在中心位置与评价区相同并且范围与评价区不同的曝光区内，以表面基准面为基准，将最高位置的高度设为α，将最低位置的高度设为β，将弯曲值设为|α|+|β|时，使得满足弯曲值为1μm以下的条件。