公开(公告)号：CN114498300B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202111330110.0

申请日：2021-11-11

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  QD 激光公司

Inventor： 镰田裕树 ,  樽见浩幸 ,  大山浩市 ,  武政敬三 ,  西研一 ,  大西裕

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/068

Abstract: 半导体激光装置包括：具有至少一个第一量子点层(242)和至少一个第二量子点层(243)的激活层(24)，第二量子点层(243)比第一量子点层(242)具有更长的发射波长。活性层(24)的增益光谱在分别对应于第一量子点层(242)的发射波长和第二量子点层(243)的发射波长的第一波长和长于第一波长的第二波长处具有最大值。将第一波长处的增益光谱最大值定义为第一最大值，将第二波长处的增益光谱最大值定义为第二最大值。第一最大值大于第二最大值。

公开(公告)号：CN114498300A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111330110.0

申请日：2021-11-11

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  QD 激光公司

Inventor： 镰田裕树 ,  樽见浩幸 ,  大山浩市 ,  武政敬三 ,  西研一 ,  大西裕

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/068

Abstract: 半导体激光装置包括：具有至少一个第一量子点层(242)和至少一个第二量子点层(243)的激活层(24)，第二量子点层(243)比第一量子点层(242)具有更长的发射波长。活性层(24)的增益光谱在分别对应于第一量子点层(242)的发射波长和第二量子点层(243)的发射波长的第一波长和长于第一波长的第二波长处具有最大值。将第一波长处的增益光谱最大值定义为第一最大值，将第二波长处的增益光谱最大值定义为第二最大值。第一最大值大于第二最大值。

公开(公告)号：CN105934832A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201580005722.9

申请日：2015-01-07

Applicant: QD激光公司 ,  谢菲尔德大学

Inventor： 西研一 ,  影山健生 ,  武政敬三 ,  菅原充 ,  R·霍格 ,  陈思铭

IPC: H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的半导体发光元件具有：下部包层(12)，其设于基板(10)上；有源层部(20)，其设于下部包层上(12)，包括量子阱层(24)以及在与(24)量子阱层之间隔着第2势垒层(22b)配置的多个量子点(28)；以及上部包层(14)，其设于有源层部(20)上，量子阱层(24)和多个量子点(28)之间的间隔(D)小于多个量子点(28)各自的中心之间的间隔(X)的平均值。

公开(公告)号：CN105934832B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201580005722.9

申请日：2015-01-07

Applicant: QD激光公司 ,  谢菲尔德大学

Inventor： 西研一 ,  影山健生 ,  武政敬三 ,  菅原充 ,  R·霍格 ,  陈思铭

IPC: H01L33/06

Abstract: 本发明的半导体发光元件具有：下部包层(12)，其设于基板(10)上；有源层部(20)，其设于下部包层上(12)，包括量子阱层(24)以及在与(24)量子阱层之间隔着第2势垒层(22b)配置的多个量子点(28)；以及上部包层(14)，其设于有源层部(20)上，量子阱层(24)和多个量子点(28)之间的间隔(D)小于多个量子点(28)各自的中心之间的间隔(X)的平均值。