半导体器件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103811492B

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201310397355.4

    申请日:2013-09-04

    Abstract: 一种半导体器件包括:半导体衬底(5),包括在所述半导体衬底(5)上的第一半导体层(2);在半导体衬底(5)中的多个半导体元件(50);及无效区(30)。每一个半导体元件(50)都包括:在所述第一半导体层(2)的表面部分中的第二半导体层(21);第三半导体层(17),设置在所述第一半导体层(2)的另一个表面部分中,并与所述第二半导体层(21)间隔开;及控制层(34),设置在所述第一半导体层(2)在所述第二半导体层(21)与所述第三半导体层(17)之间的部分上。所述无效区(30)设置在至少两个相邻的半导体元件(50)之间的半导体衬底(5)中;并且不提供所述半导体元件(50)的功能。

    半导体器件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103811492A

    公开(公告)日:2014-05-21

    申请号:CN201310397355.4

    申请日:2013-09-04

    Abstract: 一种半导体器件包括:半导体衬底(5),包括在所述半导体衬底(5)上的第一半导体层(2);在半导体衬底(5)中的多个半导体元件(50);及无效区(30)。每一个半导体元件(50)都包括:在所述第一半导体层(2)的表面部分中的第二半导体层(21);第三半导体层(17),设置在所述第一半导体层(2)的另一个表面部分中,并与所述第二半导体层(21)间隔开;及控制层(34),设置在所述第一半导体层(2)在所述第二半导体层(21)与所述第三半导体层(17)之间的部分上。所述无效区(30)设置在至少两个相邻的半导体元件(50)之间的半导体衬底(5)中;并且不提供所述半导体元件(50)的功能。

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