公开(公告)号：CN118231365A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311526843.0

申请日：2023-11-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 儿玉幸雄

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: 半导体装置具备介于半导体元件(40)的第1主电极即发射极电极(42)与布线部件(50、60)之间的导电间隔件(70)。导电间隔件被焊料接合于发射极电极。导电间隔件具有凹部、粗糙化区域和非粗糙化区域。凹部设在导电间隔件的侧面中的在半导体元件的板厚方向的平面观察中的至少焊盘(44)侧，在半导体元件侧的端面开口。非粗糙化区域是没有形成凹凸氧化膜(76)的区域，设在凹部的内表面。粗糙化区域是侧面中的除了凹部的内表面以外的区域，是形成有凹凸氧化膜的区域。

公开(公告)号：CN115440712A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210617510.8

申请日：2022-06-01

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 儿玉幸雄 ,  吉泽洋明 ,  大岛正范 ,  平野敬洋

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/48 ,  H01L23/495

Abstract: 一种半导体装置，包括半导体元件、密封构件和第一导电板。半导体元件包括第一电极。密封构件密封半导体元件。第一导电板包括在密封构件内部面向第一电极的第一表面。第一导电板的第一表面包括安装区域、粗糙化区域和非粗糙化区域。第一电极接合到安装区域。粗糙化区域位于安装区域周围。非粗糙化区域位于粗糙化区域与第一表面的外周边缘之间。粗糙化区域的表面粗糙度大于非粗糙化区域的表面粗糙度。