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公开(公告)号：CN100394346C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN02828840.8
申请日：2002-04-26
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
CPC classification number: G11C5/142 , G06K19/0707 , G06K19/0712 , G06K19/0723
Abstract: 在用使用天线从外部接收到的交流信号形成的内部电源(VSS，VDD)使内部电路动作的IC卡中，内部电源的电压常常会因该内部电路的动作而变动。于是，本申请的压控电路REG是包括压控电流源的压控电路，其构成为：在该内部电路非动作时，检测在压控电流源中流动着比规定的电流大的电流的情况后动作电流检测电路PWR输出启动信号SIG1；当该内部电路接收到该启动信号而进行动作时从在压控电流源中流动的电流中减去在该内部电路中消耗的电流量I1。借助于此，由于可以防止作为整体的内部电源的电流变动，故实质上可以使内部电源的输出电压保持恒定。
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公开(公告)号：CN1625723A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02828840.8
申请日：2002-04-26
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
CPC classification number: G11C5/142 , G06K19/0707 , G06K19/0712 , G06K19/0723
Abstract: 在用使用天线从外部接收到的交流信号形成的内部电源(VSS，VDD)使内部电路动作的IC卡中，内部电源的电压常常会因该内部电路的动作而变动。于是，本申请的压控电路REG是包括压控电流源的压控电路，其构成为：在该内部电路非动作时，检测在压控电流源中流动着比规定的电流大的电流的情况后动作电流检测电路PWR输出启动信号SIG1；当该内部电路接收到该启动信号而进行动作时从在压控电流源中流动的电流中减去在该内部电路中消耗的电流量I1。借助于此，由于可以防止作为整体的内部电源的电流变动，故实质上可以使内部电源的输出电压保持恒定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1767342A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510106774.3
申请日：2005-10-12
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01Q1/2225 , H01L27/0705 , H01L2223/6677 , H01Q1/38 , H01Q7/00
Abstract: 在用将栅端子连接到一个天线连接端子上并将源端子连接到另一个天线连接端子上的MOS晶体管构成构成整流电路的整流元件的半导体集成电路中存在附加在天线端子间的寄生电容变大的问题。本发明提供下述技术：在第1输入端子与第1输出端子之间连接将栅端子连接到第2输入端子上的第1MOS晶体管，利用连接在第1输入端子与第2输入端子之间的第1体端子控制电路的输出端子来控制上述第1MOS晶体管的体端子，同样，利用连接在第1输入端子与第2输入端子之间的第2体端子控制电路的输出端子来控制在第2输入端子与第1输出端子之间被连接的第2MOS晶体管的体端子。
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公开(公告)号：CN100574047C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710096493.3
申请日：2007-04-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: G06K7/0008 , G06K19/0707 , G06K19/0712 , G06K19/0723
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件和使用该器件的非接触式电子设备，利用提供给非接触式电子设备的功率使安装在电源电路(B5)上的调节功能的电压抑制特性发生变化，当提供给非接触式电子设备的功率小时，使天线端子(LA-LB)间电压相对于流过天线的电流的电压变化量大，当提供给非接触式电子设备的功率大时，使天线端子(LA-LB)间电压相对于流过天线的电流的电压变化量小，由此，使远距离通信时相对于负载调制电路(发送电路(B8))的电流变化的整体消耗电流的电流变化增大。
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公开(公告)号：CN100589314C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200510106774.3
申请日：2005-10-12
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01Q1/2225 , H01L27/0705 , H01L2223/6677 , H01Q1/38 , H01Q7/00
Abstract: 在用将栅端子连接到一个天线连接端子上并将源端子连接到另一个天线连接端子上的MOS晶体管构成构成整流电路的整流元件的半导体集成电路中存在附加在天线端子间的寄生电容变大的问题。本发明提供下述技术：在第1输入端子与第1输出端子之间连接将栅端子连接到第2输入端子上的第1MOS晶体管，利用连接在第1输入端子与第2输入端子之间的第1体端子控制电路的输出端子来控制上述第1MOS晶体管的体端子，同样，利用连接在第1输入端子与第2输入端子之间的第2体端子控制电路的输出端子来控制在第2输入端子与第1输出端子之间被连接的第2MOS晶体管的体端子。
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公开(公告)号：CN101060257A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710096493.3
申请日：2007-04-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: G06K7/0008 , G06K19/0707 , G06K19/0712 , G06K19/0723
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件和使用该器件的非接触式电子设备，利用提供给非接触式电子设备的功率使安装在电源电路(B5)上的调节功能的电压抑制特性发生变化，当提供给非接触式电子设备的功率小时，使天线端子(LA－LB)间电压相对于流过天线的电流的电压变化量大，当提供给非接触式电子设备的功率大时，使天线端子(LA－LB)间电压相对于流过天线的电流的电压变化量小，由此，使远距离通信时相对于负载调制电路(发送电路(B8))的电流变化的整体消耗电流的电流变化增大。
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公开(公告)号：CN101751597A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910258014.2
申请日：2009-12-09
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: G05F1/618 , G06K19/0723
Abstract: 一种半导体集成电路(U2)，其包括天线端子(LA、LB)、整流电路(B1)、电源电压端子(VDD)、并联稳压电路(B2)、以及串联稳压电路(B3)，当内部电源线(VDDA)的电压上升至第一设定电压(V1)以上时，并联稳压电路(B2)对下拉晶体管(M1)流过下拉电流(I1)。在内部电源线(VDDA)的电压降低至第二设定电压(V2)以下时，串联稳压电路(B3)对上拉晶体管(M2)流过上拉电流(I2)。第一设定电压(V1)的电压电平设定为高于上述第二设定电压(V2)的电压电平。从而防止两个稳压电路(B2、B3)的工作竞争。具有接触型工作模式和非接触型工作模式且向内部电路供给稳定的电源电压。
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