公开(公告)号：CN101388416A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810144935.1

申请日：2008-08-07

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 滨村浩孝 ,  柳至 ,  峰利之

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/4234 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法的技术，该技术能够通过抑制金属氧化膜和夹持其上下的绝缘膜的相互扩散，提高使用金属氧化膜作为电荷蓄积膜的非易失性存储单元的电荷保持特性。存储单元MC1具有的电荷保持用绝缘膜4由从半导体衬底1的沟道区域侧依次形成下部绝缘膜4a、由金属氧化膜构成的电荷蓄积膜4c、及上部绝缘膜4e得到的层合膜构成，通过对下部绝缘膜4a进行等离子体氮化处理，在下部绝缘膜4a中的上表面侧形成氮浓度为1原子％以上且具有峰值的氮化区域4b，该氮化区域4b的厚度为0.5nm以上、1.5nm以下。