公开(公告)号：CN100334708C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200410030958.1

申请日：2004-04-01

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 安井感 ,  峰利之 ,  后藤康 ,  横山夏树

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76224 ,  Y10S438/907

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，能实现容易控制氮化硅膜衬板构造的元件隔离槽的形成方法，并使元件微细化的同时，降低在元件隔离槽内发生的应力。本发明的元件隔离槽的形成方法，在硅衬底(1)上形成的槽(2a)的内壁淀积氮化硅膜衬板(14)后，使已填充到槽(2a)内部的第1填埋绝缘膜(17)的上表面向下方后退，并使氮化硅膜衬板(14)的上端部露出来。其次，在使氮化硅膜衬板(14)的露出部分转化成氧化硅膜(14a)等非氮化硅系绝缘膜后，在第1填埋绝缘膜(17)的上部淀积第2填埋绝缘膜(18)，使其表面平坦化。

公开(公告)号：CN1534758A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410030958.1

申请日：2004-04-01

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 安井感 ,  峰利之 ,  后藤康 ,  横山夏树

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  Y10S438/907

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，能实现容易控制氮化硅膜衬板构造的元件隔离槽的形成方法，并使元件微细化的同时，降低在元件隔离槽内发生的应力。本发明的元件隔离槽的形成方法，在硅衬底(1)上形成的槽(2a)的内壁淀积氮化硅膜衬板(14)后，使已填充到槽(2a)内部的第1填埋绝缘膜(17)的上表面向下方后退，并使氮化硅膜衬板(14)的上端部露出来。其次，在使氮化硅膜衬板(14)的露出部分转化成氧化硅膜(14a)等非氮化硅系绝缘膜后，在第1填埋绝缘膜(17)的上部淀积第2填埋绝缘膜(18)，使其表面平坦化。