公开(公告)号：CN1574293A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410046218.7

申请日：2004-05-31

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 酒井哲 ,  松本大地 ,  朝香胜征 ,  长谷川雅俊 ,  森和孝

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法和半导体集成电路器件，抑制在采用多晶硅－金属硅化物双栅结构的n沟道MISFET和p沟道MISFET的边界附近的栅极电极中杂质的相互扩散。n沟道MISFET的栅极电极(10n)和p沟道MISFET的栅极电极(10p)，由于彼此导电类型不同，因此为了防止杂质的相互扩散而使其分离，并经由在以后的工序所形成的金属布线将两者电连接。另外，在使栅极电极材料形成图形并使栅极电极(10n、10p)分离的之前的工序中，不进行大于或等于700℃的高温热处理，由此防止在栅极电极形成前的工序中杂质的相互扩散。