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公开(公告)号：CN1661723A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200410061559.1
申请日：2004-12-30
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: G11C11/405 , H01L27/108
CPC classification number: G11C11/405
Abstract: 本发明一种提供一种使用了漏电电流小的3晶体管型动态单元的半导体集成电路。以降低待机时伴随通过3晶体管型动态单元中的存储晶体管的漏电电流的功率。在与电源端子之间设置连接构成存储器阵列的多个3晶体管型动态单元内的存储晶体管的源电极的开关。在动作时使上述开关导通，待机时使上述开关为非导通状态，由此截断待机时的漏电电流。
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