公开(公告)号：CN1703824A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN03825035.7

申请日：2003-09-26

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 山添孝德 ,  金井健男

IPC: H02M3/07

CPC classification number: G11C5/146 ,  G11C5/145 ,  H02M3/073 ,  H02M2001/009 ,  H02M2003/071 ,  H02M2003/075 ,  H02M2003/076

Abstract: 本发明提供升压电路。涉及需要高于电源电压的正或者负的高电压的非易失性存储器的升压电路，本申请发明即使在3V以下的低电源电压下也能够发生12V左右的高电压，用同一个电路不仅能够发生正的高电压，还能够发生负的高电压，另外，通过把作为本申请发明的升压电路的衬底控制型并联电气供给泵与串联型电气供给泵组合起来，能够有效地发生两种高电压，能够减小芯片面积。

公开(公告)号：CN1670864A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510009456.5

申请日：2005-02-08

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 山添孝德 ,  秋元雄一郎 ,  石田尚信 ,  山崎英治 ,  大平信裕

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/12

Abstract: 提供一种升压电路和使用了该升压电路的非易失性存储器。为了进行非易失性存储器的擦除、写入，在把N级基本泵单元连接起来进行升压的一个升压电路中，通过串联或并联使用≤N级泵单元来产生供给输出电流的能力不同的小于等于擦除、写入时的升压电压；且在升压电压检测信号中切换升压用时钟。由此，不增大升压电路的芯片面积就能够在一个升压电路中产生不同的升压电压和输出电流，能够在待机等低功耗模式下，使升压电路的功耗成为超低功耗。

公开(公告)号：CN100382421C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN03825035.7

申请日：2003-09-26

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 山添孝德 ,  金井健男

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明提供升压电路。涉及需要高于电源电压的正或者负的高电压的非易失性存储器的升压电路，本申请发明即使在3V以下的低电源电压下也能够发生12V左右的高电压，用同一个电路不仅能够发生正的高电压，还能够发生负的高电压，另外，通过把作为本申请发明的升压电路的衬底控制型并联电气供给泵与串联型电气供给泵组合起来，能够有效地发生两种高电压，能够减小芯片面积。

公开(公告)号：CN1629983A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410098557.X

申请日：2004-12-09

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 石丸哲也 ,  山添孝德

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C16/0425 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431 ,  G11C16/349

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，能够防止由写入和擦除时的干扰引起的非选择单元的数据损失。在上述非易失性半导体存储器件中，将在比非易失性存储器的改写单位还大的数据存储块内执行的改写的次数，存储在每个数据存储块中所设置的擦除/写入计数器EW CT10中，当擦除/写入计数器EW CT10的值大于或等于预先指定的次数时，对与该擦除/写入计数器对应的数据存储块执行刷新操作。通过将数据存储块内的数据暂时保存在数据暂存区域(8)中，将数据存储区域暂存区域的数据擦除，并再次将暂时保存的数据写入数据存储块中，进行刷新操作。