公开(公告)号：CN1956152A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610143658.3

申请日：2006-10-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 东雅彦 ,  久米聪 ,  由上二郎 ,  山成真市 ,  丸山隆弘 ,  菅野至

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/32134 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/4958

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，即使将金属膜加工，也可抑制在该金属膜下面形成的绝缘膜的减膜。在本发明的半导体装置的制造方法中，在栅极绝缘膜(3)上形成构成栅电极的金属膜(4)。然后，在加工该金属膜(4)时，通过使用预定药水的湿蚀刻处理来除去该金属膜(4)的一部分。