公开(公告)号：CN100386863C

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200510074318.5

申请日：2000-03-28

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 杉井信之 ,  中川清和 ,  山口伸也 ,  宫尾正信

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7848

Abstract: 为了采用Si和与起同族的元素Ge、C等的组合，提供一种半导体器件制造方法及其半导体器件，包括步骤：在半导体衬底上形成Si1-xGex形变施加层，其中0＜x＜1；在所述Si1-xGex形变施加层上生长形变Si层，从而在所述形变Si层和所述Si1-xGex形变施加层之间提供面内拉伸应变；对所述形变Si层的表面进行热氧化；将所述形变Si层的所述表面与一个支承衬底相互键合；在分离位置分离所述Si1-xGex形变施加层的至少一部分和大部分所述Si1-xGex形变施加层和一部分所述形变Si层；以及在所述位置分离内形成p-MOS晶体管和n-MOS晶体管的源、漏区。