公开(公告)号：CN101127356A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710139104.0

申请日：2007-07-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 五十岚元繁 ,  坪井信生 ,  岩崎敏文 ,  新居浩二 ,  塚本康正

IPC: H01L27/11

CPC classification number: H01L27/1104 ,  G11C11/412 ,  H01L27/11 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件，其能够抑制与微制造相关联的晶体管特性差异的增加。在本发明的存储单元中，关于存取晶体管和驱动晶体管的沟道宽度的关系，使存取晶体管的沟道宽度制得比驱动晶体管的沟道宽度更大。也就是，由于与以最小设计尺寸设计的驱动晶体管相比，存取晶体管能够使沟道面积增大，因此可以抑制存取晶体管特性差异的增加。

公开(公告)号：CN1758376A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510097843.9

申请日：2005-08-30

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 塚本康正 ,  新居浩二

IPC: G11C11/413 ,  G11C11/417 ,  G11C11/419

Abstract: 本发明提供一种可降低无用功耗的半导体装置。本发明是一种无刷新动作的半导体装置，包括：呈矩阵状配置的、用于存储数据的存储电路1；用于从所述存储电路中读出所述数据的第1信号线BL、/BL；传送用于对存储电路1与第1信号线BL、/BL的连接进行控制的信号的第2信号线WL；通过检测所述第1信号线BL、/BL上的电位变化或者电流变化，判断并读出数据的读出放大器电路8；和在读出放大器电路8的激活期间，缓和所述第1信号线BL、/BL上的电位变化或者电流变化的缓和装置SW。

公开(公告)号：CN1542847A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410031853.8

申请日：2004-03-30

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 塚本康正 ,  新居浩二

IPC: G11C11/34 ,  G11C11/407

CPC classification number: H01L27/11 ,  G11C7/1078 ,  G11C11/412 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明的课题是以高速进行数据的写入而不损害数据保持稳定性。设置以存储单元阵列(1)的列为单位至少在数据写入时控制衬底电位的衬底电位设定电路(10)。数据写入时，通过变更选择列的存储单元晶体管的衬底区的电位，以降低数据保持特性(静态噪声容限)，能够以高速可靠地对存储单元写入数据。

公开(公告)号：CN100412985C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200410031853.8

申请日：2004-03-30

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 塚本康正 ,  新居浩二

IPC: G11C11/34 ,  G11C11/407

CPC classification number: H01L27/11 ,  G11C7/1078 ,  G11C11/412 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明是以高速进行数据的写入而不损害数据保持稳定性。设置以存储单元阵列(1)的列为单位至少在数据写入时控制衬底电位的衬底电位设定电路(10)。数据写入时，通过变更选择列的存储单元晶体管的衬底区的电位，以降低数据保持特性(静态噪声容限)，能够以高速可靠地对存储单元写入数据。

公开(公告)号：CN1956098A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610148683.0

申请日：2006-08-02

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 新居浩二 ,  大林茂树 ,  塚本康正 ,  薮内诚

IPC: G11C8/08 ,  G11C11/408 ,  G11C11/415

Abstract: 对应于各字线设置根据存储器单元晶体管的阈值电压的变动来调整字线选择时的电压电平的电平移动元件。该电平移动元件降低驱动器电源电压，并向选择字线上传输。另外，代替该电平移动元件，也可以设置根据存储器单元晶体管的阈值电压电平来下拉字线电压的下拉元件。在任何一种情况下，都能够根据存储器单元晶体管的阈值电压的变动，不使用另外的电源系统来调整选择字线电压电平，无需使电源系统复杂化，即使在低电源电压下也能够实现可稳定地进行数据的写入/读出的半导体存储装置。