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发明公开
半导体集成电路失效转让

公开(公告)号：CN101320729A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810109050.8

申请日：2008-05-23

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 菅野雄介 , 吉住谦一

IPC: H01L27/02 , H01L23/522 , H03K19/00

Abstract: 一种半导体集成电路，包括用于传输第一电源电压的第一电源布线(VDD1)；通过被提供上述第一电源电压来进行工作的逻辑电路块(CKB)；用于传输被设为电压比第一电源电压高的第二电源电压的第二电源布线(VDD2)；连接第一电源布线和第二电源布线的开关(MPS)；和在第一电源电压产生了电位降的情况下，控制开关以使第二电源布线能断续地连接到第一电源布线上的控制电路(VCTLC)。通过控制电路的控制能防止局部的电源电压变动，由此实现半导体集成电路的电源性能的提高，所以不需要经常满足LSI芯片的最大工作电流的设计。目的在于使半导体集成电路的电源性能提高而不会使制造成本大幅上升。

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