公开(公告)号：CN1707796A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510071903.X

申请日：2005-05-23

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 原口惠一 ,  加藤正高 ,  金光贤司

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/115 ,  G11C16/0458 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/7887

Abstract: 本发明促进了非易失半导体存储器件的缩小及其容量的增加。闪速存储器的每个存储单元由场效应晶体管组成，该场效应晶体管具有在p型阱上形成的第一栅绝缘膜、在第一绝缘膜上形成的并且具有被二氧化硅膜(第一绝缘膜)覆盖的侧表面和顶表面的选择栅、以侧壁形式在选择栅的两个侧面上形成的并且通过二氧化硅膜与选择栅电隔离的浮动栅、以覆盖二氧化硅膜和每个浮动栅的表面形成的第二栅绝缘膜、以及在第二栅绝缘膜上形成的控制栅。