公开(公告)号：CN106611795A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201610915838.2

申请日：2016-10-20

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 早乙女辽一 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  平野由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L27/12

CPC classification number: G09G3/3225 ,  G09G3/3406 ,  G09G3/344 ,  G09G3/348 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2310/0264 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/786 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管，显示元件，图像显示装置,系统以及场效应晶体管的栅绝缘层的组成物。提供难以产生因热处理而引起的在栅电极、源电极、漏电极和栅绝缘膜之间的剥离的场效应晶体管。本发明的场效应晶体管包括：用于施加栅电压的栅电极；用于取出电流的源电极和漏电极；与上述源电极和漏电极邻接设置的半导体层；以及设于上述栅电极和上述半导体层之间的栅绝缘层；上述场效应晶体管的特征在于:上述栅绝缘层包括含有Si及一种或多种碱土类金属元素的氧化物。

公开(公告)号：CN118843991A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202380026245.9

申请日：2023-02-21

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 志连阳平 ,  平野由希子 ,  畑中伸一 ,  福田智男 ,  藤田贵史 ,  平塚弘行 ,  田村麻人 ,  长谷川彻 ,  中森英雄 ,  若林幸弘 ,  竹内弘司

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q17/00

Abstract: 一种电磁波吸收器和反射器(10、20、30、40、50)，包括基材(11、21、31、41、51)和多个由导电材料制成的单位图案(15、25、35、45、55)，所述多个单位图案以等间隔设置在所述基材(11，21、31，41，51)的表面。在所述电磁波吸收器和反射器(10、20、30、40、50)中，所述多个单位图案(15、25、35、45、55)中的每一个的一部分在所述基材(11、21、31、41、51)的层叠方向上与所述多个单位图案(15、25、35、45、55)中相邻的一个单位图案的一部分重叠，所述多个单位图案(15、25、35、45、55)中的每一个单位图案的一部分与所述多个单位图案(15、25、35、45、55)中的相邻一个单位图案的一部分具有插在其间的电介质层(13)。

公开(公告)号：CN106972062A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610991447.9

申请日：2016-11-10

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 新江定宪 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  平野由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  早乙女辽一 ,  草柳岭秀

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管,显示元件，显示装置,系统,以及场效应晶体管的制造方法。本发明的课题在于,抑制对半导体层或基板产生损害，防止薄膜晶体管的特性及均一性降低。场效应晶体管包括：栅电极；源电极和漏电极，用于根据向上述栅电极施加电压，取出电流；半导体层，与上述源电极和上述漏电极相接配置，在上述源电极和上述漏电极之间形成沟道；作为栅绝缘膜的第一绝缘层，位于上述半导体层和上述栅电极之间；以及第二绝缘层，覆盖上述半导体层表面的至少一部分；上述第二绝缘层包括含有硅和碱土类金属的金属氧化物。