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公开(公告)号：CN109563620A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201880003097.8
申请日：2018-05-11
Abstract: 本发明的薄膜的形成方法，其包含第一工序和第二工序；在该第一工序中，是将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第一状态变成第二状态；该第一状态是将成膜材料和载流气体供给至该成膜对象从而使该成膜材料附着于该成膜对象；该第二状态是从第一状态中将供给该成膜材料除外；在第二工序中，将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第三状态变成第四状态；该第三状态是将氢气和载流气体供给至成膜对象，使成膜材料还原；该第四状态是从该第三状态将供给氢气除外。成膜材料是从由Al(CxH2x+1)3、Al(CxH2x+1)2H、Al(CxH2x+1)2Cl构成的组中选择的任一者。交替重复第一工序和第二工序，在成膜对象的表面形成铝原子的含量在20原子％以上的碳化铝膜。
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公开(公告)号：CN109563620B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201880003097.8
申请日：2018-05-11
Abstract: 本发明的薄膜的形成方法，其包含第一工序和第二工序；在该第一工序中，是将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第一状态变成第二状态；该第一状态是将成膜材料和载流气体供给至该成膜对象从而使该成膜材料附着于该成膜对象；该第二状态是从第一状态中将供给该成膜材料除外；在第二工序中，将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第三状态变成第四状态；该第三状态是将氢气和载流气体供给至成膜对象，使成膜材料还原；该第四状态是从该第三状态将供给氢气除外。成膜材料是从由Al(CxH2x+1)3、Al(CxH2x+1)2H、Al(CxH2x+1)2Cl构成的组中选择的任一者。交替重复第一工序和第二工序，在成膜对象的表面形成铝原子的含量在20原子％以上的碳化铝膜。
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公开(公告)号：CN101321893A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200680045341.4
申请日：2006-11-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/45514 , C23C16/45565
Abstract: 本发明提供一种低成本、可以抑制自由基气体的减活、能够向基板上均匀导入原料气体的气体压头及薄膜制造装置。本发明的气体压头(13)具备导入反应气体的反应气体导入口(30A)、导入原料气体的原料气体导入口(30B)、和与原料气体导入口(30B)相向配置地使原料气体分散的分散板(32)，原料气体导入口(30B)包围反应气体导入口(30A)周围那样地设有多个。导入至反应气体导入口(30A)的反应气体与导入至原料气体导入口(30B)且由分散板(32)分散的原料气体混合。原料气体导入口(30B)虽在反应气体导入口(30A)的周围设有多个，但不必做成喷洒孔等那样的细微孔。
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公开(公告)号：CN100370585C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200580000431.7
申请日：2005-04-07
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor： 加藤伸幸
IPC: H01L21/285 , C23C16/42 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/34 , C23C16/45531 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76873
Abstract: 在本发明中，形成氮化钨膜21后，形成硅化钨膜22，从而形成隔离膜20，在隔离膜20的表面硅化钨膜22露出，电极膜25’与该硅化钨膜22密合而形成。构成电极膜25’的导电材料与硅化钨膜22中的硅原子化学性结合，因此隔离膜20与电极膜25’的密合性高，电极膜25’难从隔离膜20剥离，另外，在退火化时难引起电极膜25’的凝聚。
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公开(公告)号：CN101052744A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200680001157.X
申请日：2006-03-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/452 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/452
Abstract: 本发明提供成膜装置及成膜方法。在由成膜室(44)、和备有与基板(S)相向的催化源(48)的催化室(46)构成的真空腔室(42)中，成膜室(44)和催化室(46)通过开口部(47)相连，基板载置在成膜室内，设该基板周缘部和开口部的周缘部之间的最短距离直线与基板的夹角为ω，基板周缘部和催化源边缘部的最短距离直线与基板的夹角是θ时，催化源配置在满足ω≥θ的位置。使用该成膜装置，可以防止催化源产生的自由基失活，高效地进行原料气体和自由基的反应，形成所需的膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1788336A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200580000431.7
申请日：2005-04-07
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor： 加藤伸幸
IPC: H01L21/285 , C23C16/42 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/34 , C23C16/45531 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76873
Abstract: 在本发明中，形成氮化钨膜21后，形成硅化钨膜22，从而形成隔离膜20，在隔离膜20的表面硅化钨膜22露出，电极膜25’与该硅化钨膜22密合而形成。构成电极膜25’的导电材料与硅化钨膜22中的硅原子化学性结合，因此隔离膜20与电极膜25’的密合性高，电极膜25’难从隔离膜20剥离，另外，在退火化时难引起电极膜25’的凝聚。
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公开(公告)号：CN101052744B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200680001157.X
申请日：2006-03-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/452 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/452
Abstract: 本发明提供成膜装置及成膜方法。在由成膜室(44)、和备有与基板(S)相向的催化源(48)的催化室(46)构成的真空腔室(42)中，成膜室(44)和催化室(46)通过开口部(47)相连，基板载置在成膜室内，设将该基板周缘部和开口部的周缘部之间的最短距离进行连接的直线与基板的夹角为ω，将基板周缘部和催化源边缘部的最短距离进行连接的直线与基板的夹角是θ时，催化源配置在满足ω＞θ的位置。使用该成膜装置，可以防止催化源产生的自由基失活，高效地进行原料气体和自由基的反应，形成所需的膜。
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公开(公告)号：CN101321893B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200680045341.4
申请日：2006-11-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/45514 , C23C16/45565
Abstract: 本发明提供一种低成本、可以抑制自由基气体的减活、能够向基板上均匀导入原料气体的气体压头及薄膜制造装置。本发明的气体压头(13)具备导入反应气体的反应气体导入口(30A)、导入原料气体的原料气体导入口(30B)、和与原料气体导入口(30B)相向配置地使原料气体分散的分散板(32)，原料气体导入口(30B)包围反应气体导入口(30A)周围那样地设有多个。导入至反应气体导入口(30A)的反应气体与导入至原料气体导入口(30B)且由分散板(32)分散的原料气体混合。原料气体导入口(30B)虽在反应气体导入口(30A)的周围设有多个，但不必做成喷洒孔等那样的细微孔。
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公开(公告)号：CN100490092C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200680001146.1
申请日：2006-03-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , C23C16/02 , C23C16/04 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76849 , C23C16/0218 , C23C16/14 , H01L21/28562 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及在向绝缘膜的孔洞等结构内埋入Cu系布线膜的基板供给原料气体，在该布线膜上有选择性地形成W覆膜之前，在预定状态下使用化学式中含有选自N原子、H原子、Si原子的原子的化合物的气体，在300℃下，对绝缘膜表面和Cu系布线膜表面实施预处理，在预处理之后，有选择性地在Cu系布线膜表面上形成W覆膜，然后再制作上层Cu布线。
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公开(公告)号：CN101053073A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200680001146.1
申请日：2006-03-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , C23C16/02 , C23C16/04 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76849 , C23C16/0218 , C23C16/14 , H01L21/28562 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及在向绝缘膜的孔洞等结构内埋入Cu系布线膜的基板供给原料气体，在该布线膜上有选择性地形成W覆膜之前，在预定状态下使用化学式中含有选自N原子、H原子、Si原子的原子的化合物的气体，在300℃下，对绝缘膜表面和Cu系布线膜表面实施预处理，在预处理之后，有选择性地在Cu系布线膜表面上形成W覆膜，然后再制作上层Cu布线。
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