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公开(公告)号:CN101682954B
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN200880016001.8
申请日:2008-04-30
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor: 永田纯一
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H05B33/10 , H01L51/5246 , H01L51/56 , H05B33/04
Abstract: 制造寿命较长的有机EL装置。本发明的制造装置(1~3)在进行有机材料层的形成、封固材料层的形成、基板(7a、7b)的贴合等的作业室(11a~11c)中安装有加热装置(12a~12b)。在进行作业之前,预先通过加热装置(12a~12c)将作业室(11a~11c)的壁加热,将附着在内壁面上的水等杂质气体去除,将作业室(11)排气而将去除的杂质气体排出。作业在排出了杂质气体的气体环境下进行,所以杂质气体不会混入到有机EL装置中。
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公开(公告)号:CN111527236A
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:CN201980006868.3
申请日:2019-06-14
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor: 永田纯一
IPC: C23C14/35 , C23C14/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明的溅射方法使用:具有靶的阴极单元,所述靶能够朝向被成膜基板上的待形成膜的形成区域发射溅射粒子;扫描部,用于在作为基板面内方向的扫描方向上使所述阴极单元相对于所述被成膜基板进行相对往复运动;磁铁,用于对所述阴极单元中的所述靶形成溅蚀区域;和磁铁扫描部,用于使所述磁铁在所述扫描方向上进行往复运动。在所述阴极单元通过所述扫描部沿所述扫描方向相对于所述被成膜基板进行相对往复运动的期间,利用所述磁铁扫描部使所述磁铁在所述扫描方向上进行往复运动。对应于所述靶相对于所述被成膜基板的速度,在所述靶相对于所述被成膜基板的去路运动下的所述磁铁的往复运动和在所述靶相对于所述被成膜基板的回路运动下的所述磁铁的往复运动被设定为相互补偿。
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公开(公告)号:CN101682954A
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN200880016001.8
申请日:2008-04-30
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor: 永田纯一
CPC classification number: H05B33/10 , H01L51/5246 , H01L51/56 , H05B33/04
Abstract: 制造寿命较长的有机EL装置。本发明的制造装置(1~3)在进行有机材料层的形成、封固材料层的形成、基板(7a、7b)的贴合等的作业室(11a~11c)中安装有加热装置(12a~12b)。在进行作业之前,预先通过加热装置(12a~12c)将作业室(11a~11c)的壁加热,将附着在内壁面上的水等杂质气体去除,将作业室(11)排气而将去除的杂质气体排出。作业在排出了杂质气体的气体环境下进行,所以杂质气体不会混入到有机EL装置中。
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公开(公告)号:CN101849032A
公开(公告)日:2010-09-29
申请号:CN200880114482.6
申请日:2008-10-27
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor: 永田纯一
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/12
Abstract: 改善蒸镀源的蒸发容器(9)的热控制性。本发明的蒸镀源(3)具有配置有机材料(21)的蒸发容器(9),在蒸镀源(3)的外周卷绕有加热线(18)。有机材料(21)和蒸发容器(9)的侧壁接触的部分以与加热线(18)的下端相比成为下方的方式配置,在基板支持架(4)安装基板(20)。在启动电源(7)使加热线(18)发热而加热蒸发容器(9)时,有机材料(21)的蒸气从朝上的贯通孔(31)释放至真空槽(2)内部,附着于基板(20),形成薄膜。因将加热线(18)配置至蒸发容器(9)的上端,所以能够使开口升温至蒸发温度以上,上述蒸发容器(9)由铜、铜/铍合金、Ti或Ta的任一种金属材料构成,侧壁与底壁被成形为0.3mm以上0.7mm以下的厚度,因此热容小,控制性优越。
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公开(公告)号:CN111527236B
公开(公告)日:2022-10-28
申请号:CN201980006868.3
申请日:2019-06-14
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor: 永田纯一
IPC: C23C14/35 , C23C14/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明的溅射方法使用:具有靶的阴极单元,所述靶能够朝向被成膜基板上的待形成膜的形成区域发射溅射粒子;扫描部,用于在作为基板面内方向的扫描方向上使所述阴极单元相对于所述被成膜基板进行相对往复运动;磁铁,用于对所述阴极单元中的所述靶形成溅蚀区域;和磁铁扫描部,用于使所述磁铁在所述扫描方向上进行往复运动。在所述阴极单元通过所述扫描部沿所述扫描方向相对于所述被成膜基板进行相对往复运动的期间,利用所述磁铁扫描部使所述磁铁在所述扫描方向上进行往复运动。对应于所述靶相对于所述被成膜基板的速度,在所述靶相对于所述被成膜基板的去路运动下的所述磁铁的往复运动和在所述靶相对于所述被成膜基板的回路运动下的所述磁铁的往复运动被设定为相互补偿。
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公开(公告)号:CN109328243A
公开(公告)日:2019-02-12
申请号:CN201780038184.2
申请日:2017-05-31
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种可维持规定的成膜率不变,并有效形成应力在规定值以内的氧化铝膜的成膜方法。在本发明中,在真空室(1)内相对配置被成膜物(S)和铝材质的靶(21,22),向真空气氛中的真空室内导入稀有气体和氧气、给靶施加规定电力对靶进行溅射,使铝原子和氧的反应产物附着并堆积在被成膜物的表面上形成氧化铝膜。此时,向真空室内导入水蒸汽。水蒸汽的分压设置在1×10-3Pa~0.1Pa的范围内。
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公开(公告)号:CN101849032B
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN200880114482.6
申请日:2008-10-27
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor: 永田纯一
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/12
Abstract: 改善蒸镀源的蒸发容器(9)的热控制性。本发明的蒸镀源(3)具有配置有机材料(21)的蒸发容器(9),在蒸镀源(3)的外周卷绕有加热线(18)。有机材料(21)和蒸发容器(9)的侧壁接触的部分以与加热线(18)的下端相比成为下方的方式配置,在基板支持架(4)安装基板(20)。在启动电源(7)使加热线(18)发热而加热蒸发容器(9)时,有机材料(21)的蒸气从朝上的贯通孔(31)释放至真空槽(2)内部,附着于基板(20),形成薄膜。因将加热线(18)配置至蒸发容器(9)的上端,所以能够使开口升温至蒸发温度以上,上述蒸发容器(9)由铜、铜/铍合金、Ti或Ta的任一种金属材料构成,侧壁与底壁被成形为0.3mm以上0.7mm以下的厚度,因此热容小,控制性优越。
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