公开(公告)号：CN104395992A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380034703.X

申请日：2013-06-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 荒木圣人 ,  桥本正太郎 ,  高尾将和

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/561 ,  H01L21/823462 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/408 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种抑制在漏源电极间流动的电流的降低，栅极绝缘膜的绝缘破坏电压高的晶体管。晶体管(100)的特征在于，具备：半导体层(2)、形成在半导体层(2)上的栅极绝缘膜(7)、形成在栅极绝缘膜(7)上的栅电极(8)、在半导体层(2)上夹着栅电极(8)形成的源电极(5)以及漏电极(6)，在栅极绝缘膜(7)中包含的杂质的浓度，从栅极绝缘膜(7)的半导体层2侧的表面到栅极绝缘膜(7)的栅电极(8)侧的表面而减少。