公开(公告)号：CN103650648B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201280032117.7

申请日：2012-06-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 番场真一郎 ,  福田宽

IPC: H05K3/46 ,  H05K1/16

CPC classification number: H05K1/115 ,  G01R1/203 ,  G01R3/00 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/167 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4614 ,  H05K3/4629 ,  H05K2201/0269

Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷基板，能以优异的TCR特性来实现100ｍΩ以下的超低电阻，而且，即使采用利用过孔导体引出电阻膜的结构，也能在电阻膜与过孔导体之间获得优异的连接可靠性。多层陶瓷基板（1）具有由被层叠的多个陶瓷层（2）构成的陶瓷素域（3），包含形成在陶瓷层（2）之间的电阻膜（5、6）的电阻体（4），以及形成为在厚度方向上贯穿陶瓷层（2）且第一端部（11）与电阻膜（5）相连接的引出用过孔导体（9、10）。电阻膜和引出用过孔导体均含有构成合金类电阻材料的例如Ni和Cu，引出用过孔导体中Ni成分的浓度具有在与电阻膜（5）相连接的第一端部（11）中较高、且从第一端部（11）向着相反的第二端部（12）侧逐渐变低的倾斜结构。

公开(公告)号：CN103650648A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280032117.7

申请日：2012-06-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 番场真一郎 ,  福田宽

IPC: H05K3/46 ,  H05K1/16

CPC classification number: H05K1/115 ,  G01R1/203 ,  G01R3/00 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/167 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4614 ,  H05K3/4629 ,  H05K2201/0269

Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷基板，能以优异的TCR特性来实现100ｍΩ以下的超低电阻，而且，即使采用利用过孔导体引出电阻膜的结构，也能在电阻膜与过孔导体之间获得优异的连接可靠性。多层陶瓷基板（1）具有由被层叠的多个陶瓷层（2）构成的陶瓷素域（3），包含形成在陶瓷层（2）之间的电阻膜（5、6）的电阻体（4），以及形成为在厚度方向上贯穿陶瓷层（2）且第一端部（11）与电阻膜（5）相连接的引出用过孔导体（9、10）。电阻膜和引出用过孔导体均含有构成合金类电阻材料的例如Ni和Cu，引出用过孔导体中Ni成分的浓度具有在与电阻膜（5）相连接的第一端部（11）中较高、且从第一端部（11）向着相反的第二端部（12）侧逐渐变低的倾斜结构。

公开(公告)号：CN1906716B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200580001752.9

申请日：2005-04-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川端良兵 ,  前田英一 ,  今田胜久 ,  熊谷昭伸 ,  川田裕三 ,  酒井延行 ,  福田宽 ,  筑泽孝之

IPC: H01F17/00 ,  H01F27/00 ,  H01F41/04 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01C7/18 ,  H01C17/0656 ,  H01F17/0013 ,  H01G4/105 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电子元件及其制造方法。向硼硅酸盐玻璃中混合含有重量百分比为10％到14％的Al2O3的陶瓷合成物，以准备含有重量百分比为60％到76％的硼硅酸盐玻璃和重量百分比为24％到40％的陶瓷合成物的陶瓷混合物。陶瓷体(1)由上述混合物形成，陶瓷体(1)中含有外电极组(5)。陶瓷合成物还含有存在于重量百分比为4.0％到70.0％SiO2中的Si和存在于重量百分比为4.0％到40.0％的BaO中的Ba。所述陶瓷体(1)还包含相对于硼硅酸盐玻璃的重量百分比为0.5％到3％的着色剂，例如氧化铬。这样，可以增加陶瓷体(1)的机械强度，而不需要损坏其低温烧结性能和电学特性，并且，可以快速而精确地鉴别合格产品和残品。

公开(公告)号：CN1906716A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001752.9

申请日：2005-04-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川端良兵 ,  前田英一 ,  今田胜久 ,  熊谷昭伸 ,  川田裕三 ,  酒井延行 ,  福田宽 ,  筑泽孝之

IPC: H01F17/00 ,  H01F27/00 ,  H01F41/04 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01C7/18 ,  H01C17/0656 ,  H01F17/0013 ,  H01G4/105 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电子元件及其制造方法。向硼硅酸盐玻璃中混合含有重量百分比为10％到 14％的Al2O3的陶瓷合成物，以准备含有重量百分比为60％到74％的硼硅酸盐玻璃和重量百分比为24％到60％的陶瓷合成物的陶瓷混合物。陶瓷体(1)由上述混合物形成，陶瓷体(1)中含有外电极组(5)。陶瓷合成物还含有存在于重量百分比为4.0％到70.0％SiO2中的Si和存在于重量百分比为4.0％到40.0％的BaO中的Ba。所述陶瓷体(1)还包含相对于硼硅酸盐玻璃的重量百分比为0.5％到3％的着色剂，例如氧化铬。这样，可以增加陶瓷体(1)的机械强度，而不需要损坏其低温烧结性能和电学特性，并且，可以快速而精确地鉴别合格产品和残品。

公开(公告)号：CN205902230U

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201490001150.8

申请日：2014-10-17

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 竹村和彦 ,  伊势坊和弘 ,  福田宽 ,  及川善和

IPC: H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H05K1/11 ,  H05K3/40

CPC classification number: H05K1/115 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/113 ,  H05K3/0032 ,  H05K3/4038 ,  H05K3/4069 ,  H05K2201/09827 ,  H05K2201/09854 ,  H05K2203/0191 ,  H05K2203/1476

Abstract: 本实用新型提供多层基板。涉及获得具备尺寸精度高的过孔导体的多层基板的技术。具备由多个绝缘层3a,3b层叠而成的层叠体3的多层基板2，具有在层叠体3的最上层的绝缘层3a上贯通该绝缘层3a而形成的通孔4a、在该通孔4a中填充导电性糊料而形成的过孔导体5a，通孔4a以在其下端位置、上端位置以及这些位置的中途位置中，相较于从下端位置向中途位置直径的扩张程度，从中途位置向上端位置形成了更大的直径扩张程度的方式形成。通过形成这种通孔4a，从通孔4a的直径较小一侧的开口填充导电性糊料的情况下，防止导电性糊料从直径较大一侧的开口的渗漏，因此过孔导体5a的尺寸精度得到提高。