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公开(公告)号：CN110268489B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201880010637.5
申请日：2018-02-05
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种陶瓷电子部件的制造方法以及陶瓷电子部件，能够在由包含钛的金属氧化物构成的陶瓷坯体的表面的任意的部位形成电镀电极。陶瓷电子部件的制造方法具备如下的工序：准备含有包含钛的金属氧化物的陶瓷坯体(10)；向陶瓷坯体的表层部的一部分照射峰值功率密度1×106W/cm2～1×109W/cm2、频率500kHz以下的脉冲激光，对金属氧化物进行改质来形成低电阻部；以及在低电阻部上通过电解电镀处理而形成电极。BaTiO3这样的包含钛的金属氧化物通过基于激光照射的加热而生成O缺陷，形成n型半导体。该半导体部分的电阻值比金属氧化物低，因此能够通过电解电镀而使电镀金属选择性地析出。
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公开(公告)号：CN106847467B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201611095425.0
申请日：2016-12-01
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01F17/00 , H01F27/29 , H01F41/02 , H01F27/255
Abstract: 本发明提供一种金属膜对复合体的密合性提高的电子部件。该电子部件具有由树脂材料和金属粉的复合材料构成的复合体、和配置于复合体的外表面上的金属膜。金属膜与复合体的树脂材料和金属粉接触，与树脂材料相接的金属膜的晶体的平均粒径相对于与金属粉相接的金属膜的晶体的平均粒径为60％～120％。
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公开(公告)号：CN110268489A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201880010637.5
申请日：2018-02-05
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种陶瓷电子部件的制造方法以及陶瓷电子部件，能够在由包含钛的金属氧化物构成的陶瓷坯体的表面的任意的部位形成电镀电极。陶瓷电子部件的制造方法具备如下的工序：准备含有包含钛的金属氧化物的陶瓷坯体(10)；向陶瓷坯体的表层部的一部分照射峰值功率密度1×106W/cm2～1×109W/cm2、频率500kHz以下的脉冲激光，对金属氧化物进行改质来形成低电阻部；以及在低电阻部上通过电解电镀处理而形成电极。BaTiO3这样的包含钛的金属氧化物通过基于激光照射的加热而生成O缺陷，形成n型半导体。该半导体部分的电阻值比金属氧化物低，因此能够通过电解电镀而使电镀金属选择性地析出。
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公开(公告)号：CN106847467A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611095425.0
申请日：2016-12-01
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01F17/00 , H01F27/29 , H01F41/02 , H01F27/255
Abstract: 本发明提供一种金属膜对复合体的密合性提高的电子部件。该电子部件具有由树脂材料和金属粉的复合材料构成的复合体、和配置于复合体的外表面上的金属膜。金属膜与复合体的树脂材料和金属粉接触，与树脂材料相接的金属膜的晶体的平均粒径相对于与金属粉相接的金属膜的晶体的平均粒径为60％～120％。
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