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公开(公告)号：CN116601756A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180079660.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/00
Abstract: 集成电路(70)具备：第一基材(71)，该第一基材(71)的至少一部分由第一半导体材料构成，在该第一基材(71)形成有电气电路(例如控制电路(80)或开关电路(51、52)；第二基材(72)，该第二基材(72)的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率低的热导率的第二半导体材料构成，在该第二基材(72)形成有功率放大电路(11)；以及高热导构件(73)，该高热导构件(73)的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率高的热导率的高热导材料构成，该高热导构件(73)配置于电气电路与功率放大电路(11)之间，其中，在俯视视图中，高热导构件(73)的至少一部分与第一基材(71)的至少一部分及第二基材(72)的至少一部分重叠，高热导构件(73)与第一基材(71)及第二基材(72)接触。
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公开(公告)号：CN110324007A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910244797.2
申请日：2019-03-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种功率放大电路。功率放大电路(1)具备：放大晶体管(20)；可变电压电源(21)，其向放大晶体管(20)的集电极提供可变电压(Vcc2)；偏置电路(22)，其具有向放大晶体管(20)的基极输出直流偏置电流的恒流放大晶体管(220)；以及电流限制电路(23)，其限制直流偏置电流，其中，电流限制电路(23)具有：电流限制晶体管(230)；电阻元件(232)，其与电流限制晶体管(230)的集电极及可变电压电源(11)连接；以及电阻元件(231)，其与电流限制晶体管(230)的基极及恒流放大晶体管(220)的基极连接。
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公开(公告)号：CN110868233B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201910720826.8
申请日：2019-08-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供提高散热性并确保安装基板的平坦性的高频模块以及通信装置。高频模块(1)具备发送功率放大器(11)、与发送功率放大器(11)连接的凸块电极(13)、以及安装发送功率放大器(11)的安装基板(90)，安装基板(90)具有由绝缘性材料形成的基板主体部(90B)、以及处于安装基板(90)，并在俯视安装基板(90)时为长条形状的导通孔导体(91)，凸块电极(13)和导通孔导体(91)在上述俯视时至少一部分重复的状态下连接，在导通孔导体(91)的内部配置有由基板主体部(90B)的绝缘性材料构成的绝缘部(90C)。
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公开(公告)号：CN110830053B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910725013.8
申请日：2019-08-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供抑制了功率放大器的放大特性的劣化的高频模块。高频模块(1)具备：发送功率放大器(11)，由级联连接的放大晶体管(110P)以及(110D)构成；以及安装基板(90)，具有相互背向的主面(90a)以及(90b)，并在主面(90a)安装有发送功率放大器(11)，放大晶体管(110P)配置于最后一级，并具有发射极端子(112P)，放大晶体管(110D)配置于比放大晶体管(110P)靠前一级，并具有发射极端子(112D)，安装基板(90)按距离主面(90a)从近到远的顺序具有地线电极层(93g)～(96g)，发射极端子(112P)与发射极端子(112D)不经由主面(90a)上的电极电连接，并且不经由地线电极层(93g)电连接。
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公开(公告)号：CN112039448A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010497097.7
申请日：2020-06-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐俣充则
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种在进行包络线跟踪控制来放大射频信号的情况下高效地对功率进行放大的功率放大电路。功率放大电路(10)具备：晶体管(11)，在集电极被供给根据输入到基极的射频信号的振幅的包络线而变动的电源电压(Vcc)，从集电极输出射频信号被放大后的放大信号；第1终止电路(21)，设置在晶体管(11)的后级，使放大信号的高次谐波分量衰减；和第2终止电路(31)，设置在所述晶体管的后级，使放大信号的高次谐波分量衰减。第1终止电路(21)以及第2终止电路(31)具有如下特性，即，相对于具有二次谐波分量的频率与三次谐波分量的频率之间的频率的射频信号进行谐振。
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公开(公告)号：CN110830054A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910729614.6
申请日：2019-08-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供散热性提高的高频模块。高频模块(1)具备：发送功率放大器(11)；凸块电极(13)，其与发送功率放大器(11)的主面连接，且在俯视该主面的情况下为长条形状；以及安装基板(90)，其安装发送功率放大器(11)，安装基板(90)具有在上述俯视时为长条形状的导通孔导体(91)，凸块电极(13)与导通孔导体(91)在上述俯视时，长边方向彼此一致，并且，在上述俯视时至少在该长边方向较长的、凸块电极(13)与导通孔导体(91)的重复区域连接。
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公开(公告)号：CN114696864B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111516426.9
申请日：2021-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明提供一种高频模块，能够抑制信号传输损耗的增大，并且提高从半导体装置的散热特性。包含高频放大电路的半导体装置以及频带选择开关安装于模块基板。输出匹配电路包含设置于模块基板的至少一个无源元件，并连接在高频放大电路与频带选择开关之间。半导体装置包含：第一部件，包含元素半导体系的半导体部分；和第二部件，与第一部件面接触地接合，并形成有包含化合物半导体系的半导体元件的高频放大电路。在俯视时，半导体装置配置在输出匹配电路的附近，输出匹配电路配置在频带选择开关的附近。
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公开(公告)号：CN116508147A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202180073723.2
申请日：2021-11-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/00
Abstract: 高频模块(1A)具备：模块基板(80)，其具有彼此相向的主面(80a及80b)；第一基材(10)，该第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成，在该第一基材形成有电子电路；第二基材(20)，该第二基材的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成，在该第二基材形成有放大电路；以及外部连接端子(150)，其配置于主面(80b)，其中，第一基材(10)和第二基材(20)配置于主面(80a及80b)中的主面(80b)一侧，第二基材(20)配置于模块基板(80)与第一基材(10)之间，第二基材(20)与第一基材(10)接合，第二基材经由电极(23)来与主面(80b)连接。
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公开(公告)号：CN116490968A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180079271.9
申请日：2021-10-12
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/12
Abstract: 高频模块(1)具备：第一基材(71)，其由第一半导体材料构成；第二基材(72)，其由热导率比第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成，在第二基材(72)形成有功率放大电路(11)；第三基材(73)，在第三基材(73)形成有发送滤波器电路(61T和/或62T)；以及模块基板(90)，其具有配置有第一基材(71)、第二基材(72)以及第三基材(73)的主面(90a)，其中，第一基材(71)经由电极(717)来与主面(90a)接合，在截面视图中，第二基材(72)配置于模块基板(90)与第一基材(71)之间，且经由电极(724)来与主面(90a)接合，在俯视视图中，第一基材(71)的至少一部分与第二基材(72)的至少一部分及第三基材(73)的至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN116131797A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211401635.3
申请日：2022-11-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制电路规模的增大的同时在宽频带中良好地匹配前级的电路与后级的电路之间的阻抗的匹配电路。匹配电路具备：第1布线，具有与第1端子连接的一端、和另一端；第2布线，具有与所述第1布线的另一端连接的一端、和与第1基准电位连接的另一端，并与所述第1布线电磁耦合；以及第3布线，具有与所述第2布线的一端连接的一端、和与第2端子连接的另一端，并与所述第1布线以及所述第2布线的至少一者电磁耦合。
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