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    磁性传感器
    1.
    发明公开
    磁性传感器 无效

    公开(公告)号：CN102159963A

    公开(公告)日：2011-08-17

    申请号：CN200980137089.3

    申请日：2009-09-29

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 南谷保 ,  中村顺寿 ,  植田雅也

    IPC: G01R33/02 ,  G07D7/04

    CPC classification number: G01R33/10 ,  G07D7/04

    Abstract: 本发明实现一种尽量不会加大框体且设置容易，并且能够可靠且高精度地检测构成被检测体的磁性图案的带磁部的长度或宽度的磁性传感器。磁性传感器(1’)具有俯视时为长方形状的框体(11’)，沿着该框体(11’)的长度方向，排列设置有多个磁性检测电路元件(10)。各个磁性检测电路元件(10)由平行地配置了长条状的磁性电阻元件(MR1)和恒电阻元件(R1)的结构构成，并且配置成各个磁性检测电路元件(10)的长度方向平行。此外，相对于框体(11’)，将各个磁性检测电路元件(10)配置成框体(11’)的纵长方向与各个磁性检测电路元件(10)的纵长方向构成不平行或不正交的规定角(θ)。并且，将该磁性传感器(1’)配置成框体(11’)的纵长方向与被检测体(900)的传送方向正交。

    磁传感器
    3.
    发明公开
    磁传感器 无效

    公开(公告)号：CN102564465A

    公开(公告)日：2012-07-11

    申请号：CN201110333767.2

    申请日：2011-10-28

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 户莳健治 ,  中村顺寿

    IPC: G01D5/12 ,  G01D11/24

    CPC classification number: G01R33/0047 ,  G01R33/0052

    Abstract: 本发明目的在于以简单的工序来提供一种小型的磁传感器。本发明的磁传感器(10)的特征在于，包括：长方体状的壳体(11)，其具有上壁和沿着与所述上壁垂直的方向延伸的多个侧壁，且在内侧具有收纳部(14)；磁体(31)，其设置于收纳部(14)；磁阻元件(33)，其设置在壳体(11)的上壁的外侧；罩(21)，其以覆盖上壁和多个侧壁的方式设置，其中，通过填充在壳体(21)的收纳部(14)与磁体(31)之间、及壳体(11)与罩(21)之间的同一树脂(35)，将壳体(11)与磁体(31)、及壳体(11)与罩(21)粘接固定。

    长型磁传感器
    4.
    发明公开
    长型磁传感器 失效

    公开(公告)号：CN102435961A

    公开(公告)日：2012-05-02

    申请号：CN201110271871.3

    申请日：2011-09-14

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 新村耕二 ,  南谷保 ,  中村顺寿

    IPC: G01R33/09

    Abstract: 本发明提供一种长型磁传感器，目的在于，抑制在相邻的磁铁彼此之间的间隙部产生的灵敏度降低。磁阻元件的感磁部(20)是在磁阻层的上表面形成了由电极材料构成的多个短路棒的部件。磁阻部是没有被短路棒(22)覆盖的部分。在印刷于纸币上的磁性体通过时，磁阻元件的电阻值的变化率(元件灵敏度)根据其通过位置而不同。感磁部中的磁阻部的密度越高则磁阻元件的电阻值的变化率越大。因此，通过使位于相邻的磁铁彼此之间的间隙部上或相邻的磁阻元件的间隙部附近的感磁部(20)的磁阻部的密度与其他区域相比相对提高，来抑制磁铁彼此之间的间隙部的灵敏度降低。

    长型磁传感器
    5.
    发明授权
    长型磁传感器 失效

    公开(公告)号：CN102435961B

    公开(公告)日：2014-10-08

    申请号：CN201110271871.3

    申请日：2011-09-14

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 新村耕二 ,  南谷保 ,  中村顺寿

    IPC: G07D7/04

    Abstract: 本发明提供一种长型磁传感器，目的在于，抑制在相邻的磁铁彼此之间的间隙部产生的灵敏度降低。磁阻元件的感磁部(20)是在磁阻层的上表面形成了由电极材料构成的多个短路棒的部件。磁阻部是没有被短路棒(22)覆盖的部分。在印刷于纸币上的磁性体通过时，磁阻元件的电阻值的变化率(元件灵敏度)根据其通过位置而不同。感磁部中的磁阻部的密度越高则磁阻元件的电阻值的变化率越大。因此，通过使位于相邻的磁铁彼此之间的间隙部上或相邻的磁阻元件的间隙部附近的感磁部(20)的磁阻部的密度与其他区域相比相对提高，来抑制磁铁彼此之间的间隙部的灵敏度降低。

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