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公开(公告)号：CN119605081A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380056625.7
申请日：2023-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种弹性波装置，能够充分抑制通带外的无用波以及横模式，并且能够抑制谐振特性的劣化。本发明的弹性波装置具备包括压电体层的压电性基板和设置在压电体层上的IDT电极（8）。IDT电极（8）具有相互对置的第1汇流条（14）以及第2汇流条（15）、一端与第1汇流条（14）连接的多个第1电极指（16）、和一端与第2汇流条（15）连接的多个第2电极指（17）。多个第1电极指（16）以及多个第2电极指（17）彼此相互交错对插。将通过连结多个第2电极指（17）的顶端而形成的假想线设为第1包络线（E1），将通过连结多个第1电极指（16）的顶端而形成的假想线设为第2包络线（E2），IDT电极（8）中的、第1包络线（E1）以及第2包络线（E2）之间的区域是交叉区域（D）。俯视下的多个第1电极指（16）以及多个第2电极指（17）的形状分别在交叉区域（D）中包括第1电极指（16）以及第2电极指（17）弯曲的方向不同的至少两个曲线状的部分。在交叉区域（D）中，越是靠近第1包络线（E1）或者第2包络线（E2）的部分，占空比、电极指间距和多个第1电极指（16）以及多个第2电极指（17）的厚度之中至少任一者的值越向变大的方向以及变小的方向之中的一者变化。
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公开(公告)号：CN119487750A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380051825.3
申请日：2023-06-01
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种弹性波装置，能够抑制无用波，并且能够抑制谐振特性的劣化。本发明的弹性波装置具备：包括压电体层的压电性基板、和设置在压电体层上的IDT电极（8）。IDT电极（8）具有相互对置的第1以及第2汇流条（14以及15）、一端与第1汇流条（14）连接的多根第1电极指（16）、和一端与第2汇流条（15）连接的多根第2电极指（17）。多根第1电极指以及多根第2电极指（16以及17）彼此相互交错对插。第1电极指（16）和第2电极指（17）在弹性波传播方向上相互重叠的部分是交叉区域（D）。俯视下的多根第1以及第2电极指（16以及17）的形状包括曲线状的部分。在交叉区域（D）内，谐振频率彼此或者反谐振频率彼此大致一致。
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公开(公告)号：CN119030489A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410306098.7
申请日：2024-03-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 中川亮
Abstract: 一种弹性波装置，能够激励由电极指间距规定的波长的2倍左右的波长的弹性波且抑制基波。压电体层具有至少位于交叉区域的极化方向不同的第一第二区域，位于交叉区域的极化变化区域的各第一第二区域在俯视下与第一第二电极指中的至少一者的至少一部分重叠，将压电体层在与电极指延伸方向正交的正交方向上分为多个区间即从设置有第一或第二电极指的部分到未设置第一及第二电极指的部分为止的范围，在设多个第一第二电极指中的设置于各区间的电极指仅为一根时，多个区间包括在正交方向上依次排列的第一～第八区间，第一及第二区间的边界位于设置有第一电极指的部分，第一区域位于第一、三、六、八区间，第二区域位于第二、四、五、七区间。
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公开(公告)号：CN111587534B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201880086213.7
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明在抑制通带的特性劣化的同时使产生在比通带靠低频率侧的瑞利波的杂散降低。在弹性波装置(1)中，在电学上最靠近第1端子(101)的天线端谐振器是第1弹性波谐振器(3A)。在第1弹性波谐振器(3A)以及第2弹性波谐振器(3B)各自中，在将弹性波的波长设为λ时，压电体层的厚度为3.5λ以下。根据波长、IDT电极的厚度、IDT电极的比重、电极指的宽度除以电极指周期的二分之一的值而得到的值即占空比、压电体层的厚度、低声速膜的厚度，以θB(°)为基准，第1弹性波谐振器(3A)的压电体层的切割角在θB±4°的范围内。与第1弹性波谐振器(3A)的压电体层的切割角相比，作为第1弹性波谐振器(3A)以外的至少一个弹性波谐振器的第2弹性波谐振器(3B)的压电体层的切割角与θB(°)的差异大。
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公开(公告)号：CN110999080A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880051492.3
申请日：2018-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种在其它弹性波滤波器中不易产生由高阶模造成的纹波的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)，是硅基板；氮化硅膜(3)，层叠在支承基板(2)上；氧化硅膜(4)，层叠在氮化硅膜(3)上；压电体(5)，层叠在氧化硅膜(4)上，且由钽酸锂构成；以及IDT电极(6)，设置在压电体(5)的一个主面，关于压电体的波长归一化膜厚TLT、压电体的欧拉角θLT、所述氮化硅膜的波长归一化膜厚TN、氧化硅膜(4)的波长归一化膜厚TS、通过所述IDT电极的波长归一化膜厚和所述IDT电极的密度相对于铝的密度之比的积求出的、换算为铝的厚度的IDT电极(6)的波长归一化膜厚TE、支承基板(2)的传播方向Ψsi、支承基板(2)的波长归一化膜厚TSi的值，TLT、θLT、TN、Ts、TE、ψsi被设定为由下述的式(1)表示的与第一高阶模的响应强度对应的Ih、与第二高阶模的响应强度对应的Ih、以及与第三高阶模的响应强度对应的Ih中的至少一个大于-2.4，且Tsi＞20。[数学式1]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110402539A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201880016922.8
申请日：2018-03-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种在其他弹性波滤波器中不易产生高阶模式所引起的纹波的弹性波装置。弹性波装置(1)在由硅构成的支承基板(2)上层叠有氧化硅膜(3)以及由钽酸锂构成的压电体(4)以及IDT电极(5)，关于由钽酸锂构成的压电体的波长标准化膜厚TLT、欧拉角的θLT、氧化硅膜(3)的波长标准化膜厚TS、换算为铝的厚度的IDT电极(5)的波长标准化膜厚TE、支承基板(2)的传播取向ψSi、支承基板(2)的波长标准化膜厚TSi的值，设定TLT、θLT、TS、TE、ψSi，使得关于第1、第2以及第3高阶模式的响应之中的至少一个响应由下述的式(1)表示的与高阶模式的响应的强度对应的Ih大于-2.4，且TSi＞20。[数学式1]
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公开(公告)号：CN110383685A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880015383.6
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种能够在维持主模式的良好特性的同时抑制高阶模式的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：材料层(2)，具有欧拉角且欧拉角下的弹性常数由下述的式(1)来表示；压电体(3)，具有相互对置的第1主面以及第2主面，直接或间接地层叠于材料层(2)，具有欧拉角 且欧拉角 下的弹性常数由下述的式(1)来表示；和IDT电极(4)，设置在压电体(3)的第1主面(3a)以及第2主面(3b)之中的至少一方，由电极指间距规定的波长为λ，C56与C56之积为正的值，并且材料层(2)的C56的绝对值大于压电体(3)的C56的绝对值。[数学式1]
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公开(公告)号：CN104145429A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201380012210.6
申请日：2013-02-06
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/725 , H01Q1/50 , H03H9/0038 , H03H9/14576 , H03H9/542 , H03H9/703 , H03H9/706 , H03H9/72 , H04B1/50 , H04B1/525 , H04L5/14
Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制在多个频带同时进行发送的通信装置中的相互调制失真的装置。通信装置(100)具备：一端与天线端子(30)连接的带阻滤波器(20)、和与带阻滤波器(20)的另一端连接的第1多路转换器(1)，带阻滤波器(20)是用于除去与在第1多路转换器(1)中被收发的信号的频率不同的频带的信号的带阻滤波器，且由包含体波元件(21)的滤波器电路构成。
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公开(公告)号：CN112655150B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201980058308.2
申请日：2019-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种不易产生其它带通型滤波器的通带中的纹波的弹性波装置。弹性波装置具备一端被公共连接的、通带不同的N个(其中，N为2以上的整数)带通型滤波器，其中，至少一个带通型滤波器具有多个弹性波谐振器，所述多个弹性波谐振器具有欧拉角为( 的范围内，θLT，ψLT＝0°±15°的范围内)的钽酸锂膜硅支承基板(12)之间的氧化硅膜(13)、IDT电极(15)、以及保护膜(18)，在所述多个弹性波谐振(n)器中的至少一个弹性波谐振器中，频率fh1_t 对于m＞n的全部的m满足下述的式(3)或下述的式(4)。式(3)：fh1_t(n)＞fu(m)。式(4)：fh1_t(n)＜fl(m)。其中在式(3)以及式(4)中，fu(m)以及fl(m)表示m个带通型滤波器中的通带的高频侧端部以及低(14)、硅支承基板(12)、层叠在钽酸锂膜(14)与
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公开(公告)号：CN115039341A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202180011151.5
申请日：2021-01-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 抑制IMD的产生。在各滤波器(3)中，将特定的谐振器(4A)的等效电路中的包含等效电阻、等效电感器以及等效电容的串联电路所流过的电流设为声路径电流，将第1通带内的频率下的第1发送滤波器(31)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ1Tx1，将第2通带内的频率下的第1发送滤波器(31)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ2Tx1，将第1通带内的频率下的第2发送滤波器(33)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ1Tx2，将第2通带内的频率下的第2发送滤波器(33)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ2Tx2，在该情况下，多工器(1)满足第1条件：|(2·θ1Tx1‑θ2Tx1)‑(2·θ1Tx2‑θ2Tx2)|＝180°±90°，或第2条件：|(2·θ2Tx1‑θ1Tx1)‑(2·θ2Tx2‑θ1Tx2)|＝180°±90°。
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