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公开(公告)号：CN102460712A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080026144.4
申请日：2010-04-16
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/58 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: (1)公开了薄膜晶体管，其包括元件，即源电极、漏电极、栅电极、沟道层和栅极绝缘膜，薄膜晶体管的特征是沟道层由掺杂有钨和锌和/或锡的氧化铟膜形成。(2)公开了双极性薄膜晶体管，其包括元件，即源电极、漏电极、栅电极、沟道层和栅极绝缘膜，双极性薄膜晶体管的特征是沟道层是有机材料膜和金属氧化物膜的层叠体，金属氧化物膜包含掺杂有钨、锡和钛中的至少一种的铟且具有预先控制的电阻率。(3)公开了用于制造薄膜晶体管的方法，晶体管包括元件，即源电极、漏电极、栅电极、沟道层和栅极绝缘膜，制造薄膜晶体管的方法的特征是至少沟道层或沟道层的一部分是使用含铟靶材在不加热基板的情况下通过溅射处理形成金属氧化物膜而形成的，在基板上形成上述元件之后执行热处理。
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公开(公告)号：CN101869010A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880117109.6
申请日：2008-11-11
Applicant: 株式会社普利司通
CPC classification number: B41M1/10 , H05K9/0096
Abstract: 本发明提供简便地形成无断线的网状图像的图像形成方法；以及提供简便地制造具有无断线的网状的导电层、电磁波屏蔽性优异的透光性电磁波屏蔽材料的方法。一种图像形成方法，其包括通过使用表面的凹部的图案为网状的滚筒的凹版印刷将图像形成用墨图案印刷至基板的表面而形成网状图像的工序，其特征在于，滚筒表面的网状图案的网格的交点部分中的、凹部的底部的面积被缩减。一种透光性电磁波屏蔽材料的制造方法，其特征在于包括：通过使用表面的凹部的图案为网状的滚筒的凹版印刷将化学镀前处理剂图案印刷至透明基板的表面而形成网状前处理层的工序；以及利用化学镀处理在前处理层上形成网状的金属导电层的工序，其中滚筒表面的网状图案的网格的交点部分中的、凹部的底部的面积被缩减。
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公开(公告)号：CN104010967A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280063138.5
申请日：2012-12-10
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: C01B33/02 , C01B33/025
CPC classification number: C01B33/025 , B01J19/088 , B01J19/121 , B01J2219/0869 , B01J2219/0871 , B01J2219/0879 , B01J2219/0888 , B01J2219/089 , B01J2219/0894 , C01B33/027
Abstract: 根据本发明的硅微粒的制造方法包括：在由非碳物质形成的区域(20)中在惰性气氛下使用加热手段加热前驱体的步骤(A)，其中前驱体通过干燥含硅源和碳源的混合物来获得；和在由非碳物质形成的区域(20)中在惰性气氛下迅速冷却通过加热前驱体产生的气体的步骤(B)。硅源和/或碳源为液态。
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公开(公告)号：CN101622714A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006112.0
申请日：2008-01-30
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969
Abstract: 薄膜晶体管，其设置有以下各元件：源电极、漏电极和栅电极三个电极；沟道层；和栅绝缘膜，其中至少所述沟道层由包括铟的金属氧化物膜制成。由此，可以获得薄膜晶体管，其可制造在高聚合物基材上的元件而不施加高温工艺，并且其能够以低成本实现高性能和高可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1653694A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03811308.2
申请日：2003-04-17
Applicant: 株式会社普利司通
CPC classification number: G02F1/167 , G02F1/133707 , G02F1/134327 , G02F1/13439 , G02F2001/1672 , G02F2001/1674 , G02F2001/1676 , G02F2001/1678 , G09G3/344 , G09G2300/06 , G09G2310/0275 , G09G2360/18
Abstract: 本申请的第一至三项发明涉及一种具有图像显示板的图像显示设备，其中通过将至少两种具有不同颜色和不同电荷特性的颗粒密封在其中至少一个是透明的两个基板之间，并由基板上电极组成的电极对向颗粒施加电场使颗粒飞行移动来显示图像。在第一项发明中，电极的部分或全部表面具有微小凹陷和/或微小凸起(25)，或电极的部分或全部表面具有微小切孔。第二项发明中，在接触颗粒的基板表面涂覆体积电阻率至少为1×1012[Ω·cm]的薄膜绝缘体以提供绝缘体薄膜，或者颗粒接触基板表面的算术平均粗糙度(Ra)和凹凸平均间距(Sm)分别满足特定的表达式。在第三项发明中，检测颗粒在像素中飞行移动时产生的飞行移动电流，从而读出图象显示状况。
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公开(公告)号：CN102884157B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180023448.X
申请日：2011-03-11
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: C09K11/08 , C01B33/025 , C09K11/59
CPC classification number: C09K11/59 , C09K11/025
Abstract: 本发明为一种发出可见光的含硅微粒发光体的制造方法，其包含以下工序：在非活性气氛下焙烧含硅源和碳源的混合物的焙烧工序，将通过焙烧混合物而生成的气体骤冷而得到复合粉体的骤冷工序，以及将复合粉体的一部分除去的除去工序；在除去工序中，从复合粉体所包含的硅微粒、一氧化硅和二氧化硅中，将一部分的一氧化硅和一部分的二氧化硅除去。
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公开(公告)号：CN102884157A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180023448.X
申请日：2011-03-11
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: C09K11/08 , C01B33/025 , C09K11/59
CPC classification number: C09K11/59 , C09K11/025
Abstract: 本发明为一种发出可见光的含硅微粒发光体的制造方法，其包含以下工序：在非活性气氛下焙烧含硅源和碳源的混合物的焙烧工序，将通过焙烧混合物而生成的气体骤冷而得到复合粉体的骤冷工序，以及将复合粉体的一部分除去的除去工序；在除去工序中，从复合粉体所包含的硅微粒、一氧化硅和二氧化硅中，将一部分的一氧化硅和一部分的二氧化硅除去。
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公开(公告)号：CN101622714B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200880006112.0
申请日：2008-01-30
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969
Abstract: 薄膜晶体管，其设置有以下各元件：源电极、漏电极和栅电极三个电极；沟道层；和栅绝缘膜，其中至少所述沟道层由包括铟的金属氧化物膜制成。由此，可以获得薄膜晶体管，其可制造在高聚合物基材上的元件而不施加高温工艺，并且其能够以低成本实现高性能和高可靠性。
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公开(公告)号：CN1653694B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN03811308.2
申请日：2003-04-17
Applicant: 株式会社普利司通
CPC classification number: G02F1/167 , G02F1/133707 , G02F1/134327 , G02F1/13439 , G02F2001/1672 , G02F2001/1674 , G02F2001/1676 , G02F2001/1678 , G09G3/344 , G09G2300/06 , G09G2310/0275 , G09G2360/18
Abstract: 本申请的第一至三项发明涉及一种具有图像显示板的图像显示设备，其中通过将至少两种具有不同颜色和不同电荷特性的颗粒密封在其中至少一个是透明的两个基板之间，并由基板上电极组成的电极对向颗粒施加电场使颗粒飞行移动来显示图像。在第一项发明中，电极的部分或全部表面具有微小凹陷和/或微小凸起(25)，或电极的部分或全部表面具有微小切孔。第二项发明中，在接触颗粒的基板表面涂覆体积电阻率至少为1x1012[Ω·cm]的薄膜绝缘体以提供绝缘体薄膜，或者颗粒接触基板表面的算术平均粗糙度(Ra)和凹凸平均间距(Sm)分别满足特定的表达式。在第三项发明中，检测颗粒在像素中飞行移动时产生的飞行移动电流，从而读出图像显示状况。
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