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公开(公告)号：CN116544088A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310581760.5
申请日：2018-02-28
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提高通过向试样照射非聚焦的离子束加工试样的离子铣削装置的加工精度、或加工面形状的再现精度。为此，具有试样室(6)、设置于试样室的离子源位置调整机构(5)、经由离子源位置调整机构安装于试样室且射出离子束的离子源(1)、以及以旋转中心为轴旋转的试样台(2)，若将离子束的离子束中心(B0)和旋转中心(R0)一致时的旋转中心的延伸方向设为Z方向，且将与Z方向垂直的面设为XY面，则离子源位置调整机构(5)能够调整离子源(1)的XY面上的位置及Z方向的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119542101A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411692488.9
申请日：2018-08-31
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/305 , H01J37/304
Abstract: 本发明提供一种能够提高离子分布的再现性的离子研磨装置。离子研磨装置具有：离子源(1)；试样台(2)，其载置通过照射来自离子源(1)的非聚焦离子束而被加工的试样(4)；以及驱动单元(8)，其配置在离子源(1)与试样台(2)之间，使在第一方向上延伸的线状的离子束测定部件(7)在与第一方向正交的第二方向上移动，在从离子源(1)以第一照射条件输出离子束的状态下，通过驱动单元(8)使离子束测定部件(7)在离子束的照射范围内移动，通过向离子束测定部件(7)照射离子束来测定流过离子束测定部件(7)的离子束电流。
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公开(公告)号：CN112585714A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201880096759.0
申请日：2018-08-31
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/30
Abstract: 本发明提供一种能够提高离子分布的再现性的离子研磨装置。离子研磨装置具有：离子源(1)；试样台(2)，其载置通过照射来自离子源(1)的非聚焦离子束而被加工的试样(4)；以及驱动单元(8)，其配置在离子源(1)与试样台(2)之间，且使在第一方向上延伸的线状的离子束测定部件(7)在与第一方向正交的第二方向上移动，在从离子源(1)以第一照射条件输出离子束的状态下，通过驱动单元(8)使离子束测定部件(7)在离子束的照射范围内移动，通过向离子束测定部件(7)照射离子束来测定流过离子束测定部件(7)的离子束电流。
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公开(公告)号：CN111758144B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201880090114.6
申请日：2018-02-28
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/04 , H01J37/067 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/30
Abstract: 本发明提高通过向试样照射非聚焦的离子束加工试样的离子铣削装置的加工精度、或加工面形状的再现精度。为此，具有试样室(6)、设置于试样室的离子源位置调整机构(5)、经由离子源位置调整机构安装于试样室且射出离子束的离子源(1)、以及以旋转中心为轴旋转的试样台(2)，若将离子束的离子束中心(B0)和旋转中心(R0)一致时的旋转中心的延伸方向设为Z方向，且将与Z方向垂直的面设为XY面，则离子源位置调整机构(5)能够调整离子源(1)的XY面上的位置及Z方向的位置。
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公开(公告)号：CN111758144A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201880090114.6
申请日：2018-02-28
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/04 , H01J37/067 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/30
Abstract: 本发明提高通过向试样照射非聚焦的离子束加工试样的离子铣削装置的加工精度、或加工面形状的再现精度。为此，具有试样室(6)、设置于试样室的离子源位置调整机构(5)、经由离子源位置调整机构安装于试样室且射出离子束的离子源(1)、以及以旋转中心为轴旋转的试样台(2)，若将离子束的离子束中心(B0)和旋转中心(R0)一致时的旋转中心的延伸方向设为Z方向，且将与Z方向垂直的面设为XY面，则离子源位置调整机构(5)能够调整离子源(1)的XY面上的位置及Z方向的位置。
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公开(公告)号：CN112585714B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN201880096759.0
申请日：2018-08-31
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/30
Abstract: 本发明提供一种能够提高离子分布的再现性的离子研磨装置。离子研磨装置具有：离子源(1)；试样台(2)，其载置通过照射来自离子源(1)的非聚焦离子束而被加工的试样(4)；以及驱动单元(8)，其配置在离子源(1)与试样台(2)之间，且使在第一方向上延伸的线状的离子束测定部件(7)在与第一方向正交的第二方向上移动，在从离子源(1)以第一照射条件输出离子束的状态下，通过驱动单元(8)使离子束测定部件(7)在离子束的照射范围内移动，通过向离子束测定部件(7)照射离子束来测定流过离子束测定部件(7)的离子束电流。
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