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公开(公告)号:CN101669375B
公开(公告)日:2013-07-10
申请号:CN200880013778.9
申请日:2008-01-23
CPC classification number: B06B1/0292 , A61B8/00 , A61B8/4483 , A61B2562/028
Abstract: 对cMUT元件阵列赋予均一并且稳定的特性,实现声学特性的提高。在元件(102)中追加设置用于切断元件的移位、振动以及信号收发的信号切断部,该元件(102)位于作为能够进行通常的收发的传感器而被设计并制造的、cMUT元件的二维阵列(101)的最外周部或端部的位置。
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公开(公告)号:CN101669375A
公开(公告)日:2010-03-10
申请号:CN200880013778.9
申请日:2008-01-23
CPC classification number: B06B1/0292 , A61B8/00 , A61B8/4483 , A61B2562/028
Abstract: 对cMUT元件阵列赋予均一并且稳定的特性,实现声学特性的提高。在元件(102)中追加设置用于切断元件的移位、振动以及信号收发的信号切断部,该元件(102)位于作为能够进行通常的收发的传感器而被设计并制造的、cMUT元件的二维阵列(101)的最外周部或端部的位置。
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公开(公告)号:CN103350064A
公开(公告)日:2013-10-16
申请号:CN201310065801.1
申请日:2008-01-23
CPC classification number: B06B1/0292 , A61B8/00 , A61B8/4483 , A61B2562/028
Abstract: 本发明公开了一种静电容量式传感器以及超声波摄像装置。对cMUT元件阵列赋予均一并且稳定的特性,实现声学特性的提高。在元件(102)中追加设置用于切断元件的移位、振动以及信号收发的信号切断部,该元件(102)位于作为能够进行通常的收发的传感器而被设计并制造的、cMUT元件的二维阵列(101)的最外周部或端部的位置。
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公开(公告)号:CN107710787A
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201680038034.7
申请日:2016-05-16
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 在静电电容检测型的超声波换能器中,由于超声波换能器的单元阵列的各单元的膜状物的膜厚偏差,导致单元阵列内的单元的器件特性变得不均匀。超声波换能器具备CMUT芯片(301),CMUT芯片(301)包括:形成有多个单元的单元阵列区域CAR;以及与单元阵列区域CAR相邻接的周边区域PER,在单元阵列区域CAR配置梁结构体(201),并且在周边区域PER配置相当于梁结构体(201)的多个图案结构体(311)。由此,将单元阵列区域CAR的单位表面积和周边区域PER的单位表面积的差减小。其结果,能够提高覆盖梁结构体(201)和图案结构体(311)的绝缘膜的膜厚的均匀性。
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公开(公告)号:CN1929699A
公开(公告)日:2007-03-14
申请号:CN200610105747.9
申请日:2006-07-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H04R17/00
CPC classification number: B06B1/0292 , H04R19/005
Abstract: 提供一种电声变换元件,其特征在于,具有:在基板或者基板中形成的第一电极;以在上述基板上设置的硅或者硅化合物为基体材料的薄膜;在上述薄膜上或者薄膜中形成的第二电极;在上述第一电极和上述第二电极间设置的空隙层;将由上述第一电极和上述第二电极赋予的电荷蓄积的、在上述第一电极和上述第二电极间设置的电荷蓄积层;以及用来测量在上述电荷蓄积层中蓄积的电荷量的源电极和漏电极。由此可以减小半导体振膜型电声变换元件中因泄漏等引起的电荷蓄积量和电声变换效率的变化,防止以该电声变换元件为基本单位构成的超声波阵列变换器的主束灵敏度的漂移和声音SN比与超声波束指向性的劣化。
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公开(公告)号:CN1886006A
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN200610002116.4
申请日:2006-01-16
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B06B1/0292
Abstract: 本发明的目的在于在使膜片型电声转换元件的电声转换特性稳定的同时,降低使用该电声转换元件构成的超声波诊断装置的噪音级。由在硅底板(1)上所形成的下部电极(2)和在其上部夹持空隙部(4)的上部电极(6)形成的电容器单元(8)构成电声转换元件(9),使用电气时间常数比1秒短且比10微秒长的材料,例如在化学计量方面过多包含硅的氮化硅形成在上部电极(6)的空隙部(4)一侧形成的电极短路防止膜(5)。其结果,电极短路防止膜(5)因为变得具有微弱的导电性,所以可以防止向电极短路防止膜(5)的带电或其漂移。其结果,电声转换元件(9)的电声转换特性稳定,而且超声波诊断装置的音响噪音级降低。
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公开(公告)号:CN108886660B
公开(公告)日:2021-01-12
申请号:CN201780021776.3
申请日:2017-07-07
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 超声波换能器具有空洞部(110)和隔膜(120),空洞部(110)形成于被基板(101)上的下部电极(103)和上部电极(107)夹着的绝缘膜(104)、(106)之间,隔膜(120)由空洞部(110)的上方的绝缘膜(106、108、111、112)及上部电极(107)构成,并且在发送/接收超声波时振动。另外,空洞部(110)在将中心部的厚度设为h1且将外周部的厚度设为h2时,具有满足h1>h2>0的关系的截面形状。
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公开(公告)号:CN108886660A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201780021776.3
申请日:2017-07-07
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 超声波换能器具有空洞部(110)和隔膜(120),空洞部(110)形成于被基板(101)上的下部电极(103)和上部电极(107)夹着的绝缘膜(104)、(106)之间,隔膜(120)由空洞部(110)的上方的绝缘膜(106、108、111、112)及上部电极(107)构成,并且在发送/接收超声波时振动。另外,空洞部(110)在将中心部的厚度设为h1且将外周部的厚度设为h2时,具有满足h1>h2>0的关系的截面形状。
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公开(公告)号:CN1886006B
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN200610002116.4
申请日:2006-01-16
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B06B1/0292
Abstract: 本发明的目的在于在使膜片型电声转换元件的电声转换特性稳定的同时,降低使用该电声转换元件构成的超声波诊断装置的噪音级。由在硅底板(1)上所形成的下部电极(2)和在其上部夹持空隙部(4)的上部电极(6)形成的电容器单元(8)构成电声转换元件(9),使用电气时间常数比1秒短且比10微秒长的材料,例如在化学计量方面过多包含硅的氮化硅形成在上部电极(6)的空隙部(4)一侧形成的电极短路防止膜(5)。其结果,电极短路防止膜(5)因为变得具有微弱的导电性,所以可以防止向电极短路防止膜(5)的带电或其漂移。其结果,电声转换元件(9)的电声转换特性稳定,而且超声波诊断装置的音响噪音级降低。
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