-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1326242C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN03142438.4
申请日：2003-06-09
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
CPC classification number: H03K5/08 , G11C5/14 , G11C11/417 , H01L27/0266 , H01L27/105 , H01L27/11 , H01L27/1116 , H03K19/00315
Abstract: 分别用于箝位不希望的电平电压的第一箝位电路和垂直叠置于其上的第二箝位电路提供在高电位侧电源和低电位侧电源之间，由垂直叠置的第一箝位电路和第二箝位电路形成的中间节点与内部电路的电源相连。由于最初在内部电路中提供的电容器与第一箝位电路并联配置，所以由于电容器的存在降低了阻抗，由流入芯片的过电流产生的电位差变小。由此，由流入芯片的过电流产生的电位差减小，并且通过允许流过更大的过电流可以改善静电介质强度。
-
公开(公告)号：CN1521848A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN200410028276.7
申请日：1997-10-30
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
CPC classification number: H01L27/0251 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 为了消除由于加于外部端子上的过电压的极性造成的抗ESD性的差异，提高半导体集成电路器件对于正和负过压的抗ESD性，在外部端子和接地电位之间，设置具有晶闸管结构的保护元件，用于保护内部电路不受正过压影响，提供由二极管D1构成的保护元件，保护内部电路不受负过压影响。
-
公开(公告)号：CN1467844A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03142438.4
申请日：2003-06-09
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H03K5/08 , G11C5/14 , G11C11/417 , H01L27/0266 , H01L27/105 , H01L27/11 , H01L27/1116 , H03K19/00315
Abstract: 分别用于箝位不希望的电平电压的第一箝位电路和垂直叠置于其上的第二箝位电路提供在高电位侧电源和低电位侧电源之间，由垂直叠置的第一箝位电路和第二箝位电路形成的中间节点与内部电路的电源相连。由于最初在内部电路中提供的电容器与第一箝位电路并联配置，所以由于电容器的存在降低了阻抗，由流入芯片的过电流产生的电位差变小。由此，由流入芯片的过电流产生的电位差减小，并且通过允许流过更大的过电流可以改善静电介质强度。
-
公开(公告)号：CN1150628C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN97199501.X
申请日：1997-10-30
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日本超大规模集成电路系统株式会社
CPC classification number: H01L27/0251 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 为了消除由于加于外部端子上的过电压的极性造成的抗ESD性的差异，提高半导体集成电路器件对于正和负过压的抗ESD性，在外部端子和地电位之间，设置具有晶闸管结构的保护元件，用于保护内部电路不受正过压影响，提供由二极管D1构成的保护元件，保护内部电路不受负过压影响。
-
公开(公告)号：CN1236485A
公开(公告)日：1999-11-24
申请号：CN97199501.X
申请日：1997-10-30
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日本超大规模集成电路系统株式会社
CPC classification number: H01L27/0251 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 为了消除由于加于外部端子上的过电压的极性造成的抗ESD性的差异,提高半导体集成电路器件对于正和负过压的抗ESD性,在外部端子和地电位之间,设置具有晶闸管结构的保护元件,用于保护内部电路不受正过压影响,提供由二极管D1构成的保护元件,保护内部电路不受负过压影响。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.036 seconds)
