公开(公告)号：CN1487530A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03154987.X

申请日：2003-08-26

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 田村隆之 ,  高瀨贤順 ,  首籘新一 ,  中村靖宏 ,  熊原千明

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/06 ,  G11C2211/5641

Abstract: 公开了一种装有非易失性存储器和控制器的非易失性存储装置，它实现了改善读/写速率性能和改善了抗御保持错误的能力。非易失性存储器可储存2位或多位信息，并可执行第一读取操作从非易失性存储单元读取1位的输出信息，以及执行第二读取操作输出2位的读取信息。控制器执行第一读取操作来从非易失性存储器读取第一信息，以及执行第二读取操作来读取第二信息。第一读取操作的读取速率快于第二读取操作。在向待读的第一区写入时，使用上限或下限阈值电压分布的电压作为阈值电压，使抗御第一信息保存错误的能力得到改善。